天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當(dāng)前位置:主頁 > 科技論文 > 材料論文 >

有機(jī)發(fā)光二極管的制備及工藝優(yōu)化研究

發(fā)布時間:2021-09-06 04:01
  有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)具有寬視角、對比度高、功耗低等優(yōu)點(diǎn),具有廣闊的應(yīng)用前景。雖然這一研究領(lǐng)域發(fā)展良好,但不管在單色光器件還是白光器件方面,仍然存在一些缺點(diǎn),需要工藝優(yōu)化來提升器件性能。本文在以下三方面工作進(jìn)行對器件的工藝優(yōu)化研究。1.本論文基于橘黃色發(fā)光材料(fbi)2Ir(acac),選用能級匹配的主體材料Tc Ta和Cz Si,分別制備了單、雙發(fā)光層器件,分別進(jìn)行摻雜濃度和發(fā)光層厚度的工藝優(yōu)化研究。雙發(fā)光層器件取得了較好的性能。雙發(fā)光層器件在摻雜濃度、發(fā)光層厚度分別為2 wt%、10 nm時性能最佳。其最大亮度、電流效率、功率效率和外量子效率分別為22312 cd/m2、45.12 cd/A、36.33 lm/W和17.0%。2.橘黃光(fbi)2Ir(acac)材料結(jié)合藍(lán)色磷光FIrpic材料制備了雙發(fā)光層互補(bǔ)色白光器件。通過分別對(fbi)2Ir(acac)和FIrpic摻雜濃度的工藝優(yōu)化,提升了器件性能,縮小了色坐標(biāo)(CIE)的變化范圍。性能最好的白光器件的最大電流效率和外量子效率分... 

【文章來源】:長春理工大學(xué)吉林省

【文章頁數(shù)】:84 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

有機(jī)發(fā)光二極管的制備及工藝優(yōu)化研究


有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光機(jī)理圖

分子結(jié)構(gòu)圖,空穴,分子結(jié)構(gòu),電子


9第2章實(shí)驗(yàn)部分2.1實(shí)驗(yàn)藥品和試劑實(shí)驗(yàn)所用藥品和試劑名稱、純度和生產(chǎn)廠家如表2.1所示。表2.1實(shí)驗(yàn)所需藥品、試劑及其純度和生產(chǎn)廠家表藥品和試劑名稱純度廠家丙酮分析純BeijingChemistryWorkTAPC電子純LuminescenceTechnologyCorpDBzA電子純LuminescenceTechnologyCorpTm3PyP26PyBTcTa電子純電子純LuminescenceTechnologyCorpLuminescenceTechnologyCorp無水乙醇分析純BeijingChemistryWorkIr(mppy)3電子純LuminescenceTechnologyCorpHAT-CN電子純LuminescenceTechnologyCorp26DCzPPy電子純LuminescenceTechnologyCorpLiF電子純LuminescenceTechnologyCorpCzSi(fbi)2Ir(acac)FIrpic電子純電子純電子純LuminescenceTechnologyCorpLuminescenceTechnologyCorpLuminescenceTechnologyCorp本實(shí)驗(yàn)蒸鍍工藝所用各類材料如圖2.1、2.2、2.3和2.4所示。圖2.1空穴注入材料的分子結(jié)構(gòu)式

體材料,能級結(jié)構(gòu),器件,能級


14穴-電子對,利于空穴傳輸?shù)较乱粚樱ǹ昭▊鬏攲樱,從而降低空穴注入勢壘,提高空穴注入能力。圖3.1CzSi為主體材料的單發(fā)光層器件的能級結(jié)構(gòu)圖摻雜有0.1wt%的HAT-CN的TAPC材料作空穴傳輸層和電子阻擋層,從HOMO能級上分析,橘黃色發(fā)光材料(fbi)2Ir(acac)的HOMO能級比TAPC高0.4eV,CzSi的HOMO比TAPC低0.5eV,(fbi)2Ir(acac)形成空穴陷阱,有利于空穴從TAPC傳輸?shù)桨l(fā)光材料(fbi)2Ir(acac)上。同時,TAPC與CzSi的HOMO能級勢壘較大,從TAPC傳輸?shù)街黧w材料CzSi分子上的空穴較少,有利于發(fā)光材料對空穴的俘獲。從LUMO能級上分析,空穴傳輸材料TAPC的LUMO能級為-1.8eV,主體材料CzSi的LUMO能級為-2.5eV,兩者相差0.7eV,可見形成了較大的能級勢壘,電子難以從主體材料CzSi傳輸?shù)娇昭▊鬏敳牧,有效阻擋電子傳輸(shù)疥枠O。在發(fā)光層,(fbi)2Ir(acac)和CzSi分別作發(fā)光材料和主體材料,(fbi)2Ir(acac)的LUMO和HOMO能級分別為-2.7eV和-5.1eV,CzSi的LUMO和HOMO能級分別為-2.5eV和-6.0eV,可見,(fbi)2Ir(acac)的LUMO能級比CzSi的低0.2eV,HOMO比CzSi的高0.9eV。CzSi的能隙(3.5eV)較大,(fbi)2Ir(acac)的HOMO能級和LUMO能級

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Effects of organic acids modified ITO anodes on luminescent properties and stability of OLED devices[J]. 胡俊濤,葉康利,黃陽,王鵬,許凱,王向華.  Optoelectronics Letters. 2018(04)



本文編號:3386706

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://www.sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/3386706.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶35d30***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要刪除請E-mail郵箱bigeng88@qq.com