二五族磷化物（磷化鎘、磷化鋅）是一類具有優(yōu)良性質(zhì)的p型半導(dǎo)體材料,直接禁帶且?guī)遁^窄（分別是0.55 eV和1.55 eV）,在紫外-可見-紅外區(qū)域均具有較強的光發(fā)射和光吸收,因此納米尺度下這類材料在光探測、激光發(fā)生器、太陽能電池等方面均具有相當(dāng)大的潛力。現(xiàn)有報道中制備磷化物納米結(jié)構(gòu)的方法存在高成本、高能耗、有雜質(zhì)等諸多缺陷,且少有其復(fù)合結(jié)構(gòu)的研究。因此探索納米級二五族磷化物的合成方法,并在此基礎(chǔ)上進一步復(fù)合并研究其光電性能具有非常重要的意義。本論文在調(diào)研相關(guān)文獻的基礎(chǔ)上,探索了磷化鎘、磷化鋅一維結(jié)構(gòu)的低溫合成,及表面摻雜修飾,電學(xué)性能和光電響應(yīng)性能。主要采用化學(xué)氣相沉積方法,大量合成了磷化鎘、磷化鋅納米線,對納米線的形貌控制進行了研究并探討其生長機制;對納米線表面進行摻雜修飾,形成核殼結(jié)構(gòu);采用光刻技術(shù)構(gòu)筑單根納米線光探測器件,并對其電學(xué)性能及光電響應(yīng)能力進行了較為全面的檢測。具體內(nèi)容為:采用鎘單質(zhì)為鎘源,磷烷為磷源,使用化學(xué)氣相沉積法在較低的反應(yīng)溫度（500℃左右）下成功獲得了均勻性和結(jié)晶性較好的納米線。這一方法排除了雜質(zhì)元素對產(chǎn)物純度的影響,且與傳統(tǒng)方法相比大大降低了反應(yīng)溫度,減... 

【文章來源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 引言
    1.2 一維磷化物的研究背景
    1.3 化學(xué)氣相沉積法
    1.4 低維納米光探測技術(shù)
    1.5 本文的主要研究內(nèi)容及路線
2 分析測試方法及實驗主要試劑、儀器
    2.1 材料表征方法及儀器
    2.2 微納器件測試平臺
    2.3 實驗主要試劑和儀器
3 磷化鎘納米線的低溫制備
    3.1 磷化鎘的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
    3.2 磷化鎘納米線的低溫制備及形貌控制的探討
    3.3 本章小結(jié)
4 磷化鋅納米線的低溫制備及磷化鋅/硫化鋅核殼結(jié)構(gòu)
    4.1 磷化鋅的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
    4.2 磷化鋅納米線的低溫制備
    4.3 磷化鋅/硫化鋅核殼結(jié)構(gòu)的制備
    4.4 本章小結(jié)
5 磷化鋅/硫化鋅核殼結(jié)構(gòu)納米光探測器件的制作及性能測試
    5.1 單根納米線光電器件的結(jié)構(gòu)和機理
    5.2 器件構(gòu)筑主要工藝流程及優(yōu)化實驗
    5.3 磷化鋅/硫化鋅單根器件的制備
    5.4 磷化鋅/硫化鋅單根器件的光電性能測試
    5.5 本章小結(jié)
6 全文總結(jié)與展望
    6.1 全文總結(jié)
    6.2 創(chuàng)新點
    6.3 工作展望
致謝
參考文獻


【參考文獻】：
期刊論文
[1]厚膠光刻蝕刻中的圖形展寬分析與改善研究[J]. 冀翔,楊國光,侯西云,劉曉旻,陳滟,田豐.  光學(xué)儀器. 2007(06)



本文編號：3385824