隨著電子信息產(chǎn)業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)的迅速發(fā)展,要求電子元器件向高頻化、小型化和集成化的方向發(fā)展,這便對(duì)作為電子元器件核心的軟磁材料提出了更高要求。但是,傳統(tǒng)的塊體軟磁材料受自身屬性的限制,很難具有GHz磁共振頻率和較高的磁導(dǎo)率。在這樣的背景和潛在需求的推動(dòng)下,能夠工作于GHz微波頻段的軟磁納米薄膜受到了特別的關(guān)注。微型化磁性電子元器件對(duì)其性能的具體要求是:高飽和磁化強(qiáng)度、高電阻率、高穩(wěn)定性、低矯頑力、合適大小的面內(nèi)磁各向異性場(chǎng)。此外,軟磁薄膜材料微型化后,電磁性能的變化也是器件集成化需要著重考慮的問(wèn)題。制備納米薄膜材料的方法有很多種,包括傳統(tǒng)磁控濺射、熱蒸發(fā)和分子束外延等。但由于納米顆粒的超順磁特性,該類材料都展示出低的飽和磁化特性。本研究采用電場(chǎng)輔助沉積技術(shù)制備高致密度Fe基合金納米顆粒薄膜,并利用光刻剝離工藝對(duì)納米顆粒薄膜材料進(jìn)行圖形化處理。同時(shí)對(duì)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、靜態(tài)和微波特性進(jìn)行了系統(tǒng)地研究。其主要研究結(jié)論如下:（1）研究了制備工藝參數(shù)對(duì)Fe₅₀Ni₅₀納米顆粒薄膜微觀結(jié)構(gòu)和磁性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,納米顆粒薄膜的飽和磁化強(qiáng)度隨沉積電場(chǎng)增加而顯... 

【文章來(lái)源】：鋼鐵研究總院北京市

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【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

不同傾斜角度對(duì)應(yīng)樣品的微波磁譜

第一章 前言-2 所示，給出了不同 對(duì)應(yīng)樣品的微波磁譜。從微波磁譜并通過(guò) LLG 方曲線可以得出，當(dāng) 從15°變化到56°時(shí)，有效阻尼因子eff 從0.036減小到部 "半高寬 f 從 1.49 減小到 1.27。理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，傾斜角度的實(shí)現(xiàn) FeCoB-ZnO 顆粒薄膜 GHz 微波特性的調(diào)控。

層膜對(duì)納米軟磁顆粒膜分析，其具有高的 MS值，低能夠應(yīng)用于 GHz 微波領(lǐng)域。但是有一個(gè)不可回值和高 值之間有一個(gè)臨界點(diǎn)。即從獲得強(qiáng)的鐵希望材料中鐵磁性顆粒的含量盡可能的高；但從出發(fā)，希望其氧化物的含量盡可能增大。結(jié)合金屬大SM 值也只能有純磁性物質(zhì)的 50%[32]。物質(zhì)與其他物質(zhì)（主要指非磁性金屬、反鐵磁導(dǎo)體等）在合適的載體上交替沉積而形成薄膜系下，每一層的厚度都在 nm 量級(jí)，但材料的總異性、界面相互作用、偶極相互作用、層間交換耦磁性層或者其他材料層的厚度，來(lái)實(shí)現(xiàn)多層膜磁，該類材料也受到了眾多材料研究人員的關(guān)注


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