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三元CdZnSe核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的制備及光電性能研究

發(fā)布時(shí)間:2021-07-25 16:40
  半導(dǎo)體量子點(diǎn)是三維尺寸都在10納米之內(nèi)的準(zhǔn)零維材料,由于量子點(diǎn)擁有多種獨(dú)有的特征,例如量子尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)以及良好的熒光性能,具有半峰寬窄且對(duì)稱的熒光發(fā)射峰譜,量子點(diǎn)的吸收光譜相對(duì)較寬。目前在很多領(lǐng)域都得到了廣泛的應(yīng)用,如太陽(yáng)能電池、生物科學(xué)、光電子器件、顯示器等方面。本文采用的是具一步合成法,制備了一種波段可調(diào)的CdZnSe/ZnSe三元合金量子點(diǎn)材料。在本論文中先介紹了以氧化鎘(CdO)、醋酸鋅(Zn(Ac)2)為原料,以油酸(OA)為配體,以及把1-十八烯(1-ODE)作為溶劑利用一步合成的方法,先后兩次注入Se制備出核殼結(jié)構(gòu)CdZnSe/Zn Se量子點(diǎn)。通過改變實(shí)驗(yàn)條件,對(duì)工藝微調(diào),可得到一系列波長(zhǎng)的量子點(diǎn)。尤其是波長(zhǎng)為620-690 nm這一波段的合成,是對(duì)材料波譜寬度范圍的拓展,在此之前并沒有文獻(xiàn)報(bào)道過。為了拓展實(shí)驗(yàn)制備的量子點(diǎn)材料的應(yīng)用,實(shí)驗(yàn)分別對(duì)產(chǎn)率較高的635 nm,672 nm的量子點(diǎn)作為發(fā)光層制備了QLED,器件外量子點(diǎn)效率達(dá)到6.8%。在以上實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上,通過Se分散在ODE中而不是有毒且價(jià)格昂貴的TBP中,在不改變其他條件如溫度、注入... 

【文章來源】:南昌航空大學(xué)江西省

【文章頁(yè)數(shù)】:61 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

三元CdZnSe核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的制備及光電性能研究


量子點(diǎn)溶液的發(fā)光照片(a),吸收光譜(b)和熒光光譜(c),以及各波段量子點(diǎn)的瞬態(tài)熒光圖譜(d)

紅外光譜圖,紅外光譜,波段,量子點(diǎn)


因?yàn)?TBP 太容易在空氣中氧化,所以沒有測(cè)試 TB。IR 光譜表明,在量子點(diǎn)光譜中,在 ODE 紅外光譜中的 1640 cm OA 紅外光譜中的 1709 cm-1處的強(qiáng) C=O 伸縮振動(dòng)峰均消失不見接觸鈍化應(yīng)該是成功的。表 2-2 核/殼 CdZnSe/ZnSe 量子點(diǎn)不同衰變通道的壽命和貢獻(xiàn)分?jǐn)?shù)波長(zhǎng)(nm) τ(ns) τ1(ns) τ2(ns) f1(%) f2(%)688 27 27 - 100 - 627 24 24 - 100 - 650 18 7 23 33 67 635 25 19 65 85 15 618 18 18 - 100 -

包殼,量子點(diǎn),瞬態(tài)熒光,譜圖


72 nm CdZnSe/ZnSe 量子點(diǎn)的透射電鏡圖(a),量子點(diǎn)包殼前后 XRD 衍射譜圖(歸一化瞬態(tài)熒光譜圖(c),包殼前后的吸收譜和發(fā)射譜圖(b)于發(fā)射峰在 672 nm 處的 CdZnSe/ZnSe 量子點(diǎn),并分別對(duì)其形貌、結(jié)質(zhì)進(jìn)行了表征。透射電鏡 TEM 如圖 2-4(a)所示。從包殼后量子點(diǎn)的 T可以看出,通過一步法合成的 672 nm 波長(zhǎng)量子點(diǎn)是尺寸均一、具有六構(gòu)的圓形顆粒,粒徑大小約為 3~4 nm。圖 2-4(b)中黑色曲線為 672子點(diǎn)在包殼之前的 XRD 圖譜,可以看出,其在衍射角 2θ>25o時(shí) XRD片 65-8875 相符合,在衍射角 2θ<25o時(shí)出現(xiàn)的衍射峰應(yīng)該是溶液內(nèi)的成的,因此可以判斷量子點(diǎn)的核為立方晶型的 Cd3Zn7Se10。量子點(diǎn)包殼RD 圖譜為圖 2-4(b)中的紅色曲線,其衍射峰與卡片 89-2940 相符合晶體結(jié)構(gòu)的 ZnSe,這些均證實(shí)我們合成的量子點(diǎn)為核殼結(jié)構(gòu)e/ZnSe。這表明量子點(diǎn)核為立方晶體結(jié)構(gòu)并且被 ZnSe 覆蓋為六方晶體外可見吸收光譜和熒光發(fā)射光譜都用于表征了量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)。如所示,核/殼量子點(diǎn)的熒光壽命分別為 16 ns 和 24 ns。但與量子點(diǎn)核相比

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Multicolored luminescent CdS nanocrystals[J]. 張軍,狄曉威,劉志亮,徐剛,徐盛明,周興平.  Transactions of Nonferrous Metals Society of China. 2007(06)
[2]水溶性的CdSe/ZnS納米微粒的合成及表征[J]. 謝穎,徐靜娟,于俊生,陳洪淵.  無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào). 2004(06)
[3]量子點(diǎn)的電子結(jié)構(gòu)及量子效應(yīng)[J]. 宋國(guó)利,楊幼桐,孫凱霞,陳保久,劉慧英.  黑龍江大學(xué)自然科學(xué)學(xué)報(bào). 2002(01)



本文編號(hào):3302391

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