發(fā)布時(shí)間：2021-07-11 05:47

　　為改善薄膜熱電材料的熱電性能,通過磁控濺射制備多層Bi/Te薄膜材料,并用常壓高溫環(huán)境對樣品進(jìn)行快速熱退火（RTP）,以期在較短時(shí)間內(nèi)獲得更高的熱電參數(shù).結(jié)果表明:Seebeck系數(shù)與功率因數(shù)最大值與退火溫度呈正相關(guān),在400℃退火2¹1min,Seebeck系數(shù)極大值為-190.41μV/K,功率因數(shù)最大值為8.28μW/（K²·m）;隨著退火溫度的升高,Seebeck系數(shù)、載流子濃度、載流子遷移率、電導(dǎo)率和功率因數(shù)的振蕩幅度也隨之加大,并且載流子濃度與Seebeck系數(shù)呈反比關(guān)系,與電導(dǎo)率呈正比關(guān)系,這說明通過改變材料結(jié)構(gòu)和高溫快速退火可以得到較高的熱電參數(shù),同時(shí)保證薄膜的完整性. 

【文章來源】：天津工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào). 2017,36(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)部分
    1.1 多層膜沉積結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
    1.2 測射工藝
    1.3 退火工藝
    1.4 熱電參數(shù)測定
2 結(jié)果與討論
    2.1 XRD圖譜分析
    2.2 熱電性能分析
        2.2.1 退火條件對Seebeck系數(shù)的影響
        2.2.2 退火條件對載流子濃度的影響
        2.2.3 退火條件對載流子遷移率和電導(dǎo)率的影響
        2.2.4 退火條件對功率因數(shù)的影響
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]退火時(shí)間對Bi/Te多層薄膜結(jié)構(gòu)和熱電性能的影響[J]. 李秦,檀柏梅,張建新,牛新環(huán),高寶紅,田會娟.  硅酸鹽學(xué)報(bào). 2016(01)



本文編號：3277464