為驗證氮化鋁薄膜在傳感器設計技術方面具有獨特的優(yōu)勢,以振動傳感器為例開展氮化鋁薄膜MEMS振動傳感器設計與試驗研究,通過在不同敏感位置設計制作不同的電極開展比對測試試驗研究工作。在振動臺上對設計有多種測試電極的芯片樣品進行比對標定測試,驗證了氮化鋁薄膜MEMS振動傳感器可以獲得很好的靈敏度特性和頻率響應特性; 4個Y電極靈敏度響應一致性很好,并可分辨出不同應力分布區(qū)域靈敏度響應上的差別; 4個X電極同樣獲得較好的靈敏度頻率響應,但由于電極設計與Y電極存在差異,因此響應有所不同,X電極由于面積更小,分布電容的影響不容忽視。 

【文章來源】：傳感器與微系統. 2020,39(12)CSCD

【文章頁數】：4 頁

【部分圖文】：

振動傳感器原理

MEMS振動傳感器敏感結構如圖2所示。為使驗證芯片加工工藝更簡單易行，采用中間帶硬心的彈性質量結構，其中h為膜片厚度，m為膜片硬心的質量;在圓形膜片應力集中區(qū)制作氮化鋁薄膜及電極，設帶有硬心的平膜片環(huán)形電極區(qū)域外半徑為R，內半徑為r,t為壓電元件厚度。

彈性敏感結構模型及膜片徑向應力分布

【參考文獻】：
期刊論文
[1]物理氣相傳輸法制備大面積AlN單晶[J]. 齊海濤,洪穎,王香泉,王利杰,張志欣,郝建民.  硅酸鹽學報. 2013(06)

博士論文
[1]物理氣相傳輸法生長氮化鋁晶體的機制研究[D]. 金雷.哈爾濱工業(yè)大學 2015



本文編號：3248305