對鋁基復(fù)合材料進(jìn)行了微弧氧化處理。采用掃描電子顯微鏡、能譜儀、電化學(xué)工作站、涂層附著力自動劃痕儀等儀器,研究了電壓對微弧氧化膜性能的影響。結(jié)果表明:當(dāng)電壓為400 V時,微弧氧化膜最為平整、均勻,耐蝕性最好,表面結(jié)合力最強(qiáng)。 

【文章來源】：電鍍與環(huán)保. 2020,40(03)北大核心CSCD

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圖２為鋁基復(fù)合材料表面微弧氧化膜的能譜分??析結(jié)果

糙且不均勻。這是因?yàn)閾舸┛偘l(fā)生在相對薄弱??的區(qū)域，而相對較厚的區(qū)域若要被擊穿，則需要更高??的電壓［７］。當(dāng)電壓為３８０?Ｖ時，微弧氧化膜逐漸變??得平整。當(dāng)電壓為４００?Ｖ時，微弧氧化膜表面開始??出現(xiàn)片狀組織，此時微弧氧化膜表面最為平整。當(dāng)??電壓達(dá)到４２０?Ｖ時，高壓使得微弧氧化膜被輕微灼??燒�？梢�，當(dāng)電壓為４００?Ｖ時，微弧氧化膜表面最為??平整、均勻，對基體的保護(hù)作用最好。??（ｃ）?４００?Ｖ?（ｄ）?４２０?Ｖ??圖１不同電壓下所得微弧氧化膜的表面形貌??圖２為鋁基復(fù)合材料表面微弧氧化膜的能譜分??析結(jié)果。微弧氧化膜中，０的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為３５．?５４％，??Ｓｉ的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為２６．?３５％，Ｎａ的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為??１９．６４％，八１的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為１２．３２％，（：的質(zhì)量分?jǐn)?shù)??為?４．?１０％。??Ｃ??ＡＩ??Ｓｉ??Ｊ??Ｎａ??ｖ??????１?２??ＥｆｋｅＶ??圖２鋁基復(fù)合材料表面微弧氧化膜的能譜分析結(jié)果??２．２微弧氧化膜的耐蝕性??圖３為不同電壓下所得微弧氧化膜的極化曲??線。由圖３可知：基體的自腐蝕電流密度最高。隨??

；當(dāng)電壓為４００?Ｖ時，微弧氧化膜所能承受的最??大壓強(qiáng)到達(dá)最大值�？梢�，當(dāng)電壓為４００?Ｖ時，微弧??氧化膜的表面結(jié)合力最好。??著電壓的升高，自腐蝕電流密度逐漸降低。當(dāng)電壓??為４００?Ｖ時，自腐蝕電流密度最低。但當(dāng)電壓達(dá)到??４２０?Ｖ時，自腐蝕電流密度又升高。這是由于在４２０??Ｖ高壓處理過程中，火花放電的通道逐漸增大，導(dǎo)??致微弧氧化膜變得疏松、多孔。另外，由于自腐蝕電??位變化較小，所以忽略其對結(jié)果的影響。可見，４００??Ｖ下所得微弧氧化膜的耐蝕性最好。??貌。由圖１可知：當(dāng)電壓為３６０?Ｖ時，微弧氧化膜表??面粗糙且不均勻。這是因?yàn)閾舸┛偘l(fā)生在相對薄弱??的區(qū)域，而相對較厚的區(qū)域若要被擊穿，則需要更高??的電壓［７］。當(dāng)電壓為３８０?Ｖ時，微弧氧化膜逐漸變??得平整。當(dāng)電壓為４００?Ｖ時，微弧氧化膜表面開始??出現(xiàn)片狀組織，此時微弧氧化膜表面最為平整。當(dāng)??電壓達(dá)到４２０?Ｖ時，高壓使得微弧氧化膜被輕微灼??燒�？梢�，當(dāng)電壓為４００?Ｖ時，微弧氧化膜表面最為??平整、均勻，對基體的保護(hù)作用最好。??（ｃ）?４００?Ｖ?（ｄ）?４２０?Ｖ??圖１不同電壓下所得微弧氧化膜的表面形貌??圖２為鋁基復(fù)合材料表面微弧氧化膜的能譜分??析結(jié)果。微弧氧化膜中，０的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為３５．?５４％，??Ｓｉ的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為２６．?３５％，Ｎａ的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為??１９．６４％，八１的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為１２．３２％，（：的質(zhì)量分?jǐn)?shù)??為?４．?１０％。??Ｃ??ＡＩ??Ｓｉ??Ｊ??Ｎａ??ｖ??????１?２??ＥｆｋｅＶ??圖２鋁基復(fù)合材料表面微弧氧化膜的能譜分析結(jié)果??２．２微弧氧化膜的耐蝕性??圖３為

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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