采用化學氣相沉積法在云母襯底上制備了二維In Se納米片,研究了生長溫度對二維In Se納米片晶相、形貌、尺寸及厚度的影響.構(gòu)筑了基于二維In Se納米片的光探測器并研究了其光探測性能,結(jié)果表明,在808 nm的近紅外光輻照下,其光響應(yīng)度為1. 5 A/W,外量子效率為230%,可探測度為3. 1×10⁸Jones(1 Jones=1 cm·Hz^1/2·W^-1),上升和衰減時間分別為0. 5和0. 8 s. 

【文章來源】：高等學�；瘜W學報. 2020,41(04)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
1 實驗部分
    1.1 試劑與儀器
    1.2 實驗過程
        1.2.1 二維InSe納米片的制備
        1.2.2 光探測器件的構(gòu)筑
        1.2.3 表征
2 結(jié)果與討論
    2.1 生長溫度對樣品晶相、形貌、尺寸及厚度的影響
    2.2 基于二維In Se納米片的光探測器的光譜響應(yīng)性能
    2.3 光功率密度對基于In Se納米片光探測器電流的影響
    2.4 基于二維In Se納米片光探測器的響應(yīng)速度
3 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]純水中氧化石墨烯的超聲裁剪及機理研究[J]. 曾澤華,李詩純,劉渝,徐金江,周元林.  高等學�；瘜W學報. 2017(01)



本文編號：3196448