長春應(yīng)化所在納米尺度電子反常輸運(yùn)研究上獲重要進(jìn)展——揭示等離激元介導(dǎo)的長程電子隧穿行為與機(jī)制
發(fā)布時(shí)間:2021-04-13 13:01
<正>微電子技術(shù)依然是當(dāng)今世界信息科學(xué)的主要支撐和核心技術(shù),電子輸運(yùn)行為與機(jī)制是其發(fā)展的基石。但集成電路發(fā)展到今天,受摩爾定律的嚴(yán)重制約,傳統(tǒng)電子學(xué)器件微縮可能即將面臨終結(jié),新原理、新結(jié)構(gòu)或新材料的電子學(xué)器件必將登上后摩爾時(shí)代的歷史舞臺(tái)。分子/納米電子學(xué)由此應(yīng)運(yùn)而生;但其工作原理主要基于經(jīng)典的電子隧穿理論,其有效電子傳輸距離短(~2~4 nm)、極易發(fā)生器件短路, 因此短期內(nèi)存在發(fā)展瓶頸。由于量子力學(xué)機(jī)制的存在,納米級(jí)材料和器件中電子的形態(tài)及
【文章來源】:分析化學(xué). 2020,48(02)北大核心EISCICSCD
【文章頁數(shù)】:1 頁
本文編號(hào):3135346
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