發(fā)布時間：2021-04-07 10:03

　　隨著社會經(jīng)濟的快速發(fā)展,電子產(chǎn)品朝著微型化和高頻化的方向發(fā)展。為了進一步滿足磁性電子元器件的應用需求,我們用半導體材料取代先前的絕緣體材料分別在玻璃基底和硅基底上制備鐵磁金屬/半導體多層膜。本文中,我們利用直流和射頻磁控濺射的方法,制備了[Fe65Co35/ZnO]n多層膜。而且還通過X射線衍射儀、高分辨率透射電鏡、振動樣品磁強計、直流四探針法以及矢量網(wǎng)絡分析儀對樣品的結構、微結構、電性和磁性進行了一系列的研究。具體研究結果如下:X射線衍射結果表明:隨著半導體ZnO層厚度t的逐漸增加,ZnO的結晶度越來越好。金屬顆粒的結構呈面心立方晶體的結構,并且Fe65Co35的顆粒尺寸從3.4 nm減小到2.7 nm。在傾斜濺射的[Fe65Co35/ZnO]50多層膜中,隨著t的增加,樣品的共振頻率fr大約4 GHz并且?guī)缀醣３植蛔�。這是由于氧化鋅層厚度的增加使得薄膜的飽和磁化強度減小和動態(tài)各向異性場增加共同引起的。氧化鋅層厚度t=3.5 nm的電阻率達到2420μΩ?cm,μ’2G和μ’3G逐漸減小但μ’2G仍大于90,而μ″2G卻保持一個很低的值（<1.55）。因此,當外場的頻率達到2 ... 

【文章來源】：天津大學天津市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：61 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

鐵磁性薄膜的部分應用

原子的排列是呈長程無序的，那么，材料的局域各向異性就過程中引起的一些局域應變或缺陷。當非晶體中顆粒間的相互異性的作用時，原子磁矩的取向就不再是沿著局域各向異性的空間圍繞著一個宏觀的有效各向異性的方向連續(xù)地改變?nèi)∠�。顆粒膜由于其自身的結構特點，限制了飽和磁化強度和電阻率阻率是通過增加絕緣體成分或半導體成分而獲得，這樣便會以為代價，使得傳統(tǒng)的顆粒膜只能在導電逾滲閾值區(qū)域才會出現(xiàn)率[6]。為了可以在同一個樣品同時獲得既具有高飽和磁化強度膜，研究學者們通過構建多層膜復合結構、種子層以及元素摻度限制[9-11]。磁性金屬/絕緣體多層膜中，絕緣層將金屬層明確分構不僅能夠有效地提高電阻率，還能保持一個相對高的飽和CoFe)–Si–O (6 nm)/Si–O(1 nm)多層膜與(CoFe)–Si–O 顆粒膜的比示。

圖 1-3 Co/Si 多層膜我國廈門大學的研究小組在室溫下通過直流磁控濺射制備了具有少量量的 FeNi–O[27-29]、FeCo–O[20]合金膜，結果顯示：在沒有加任何外部磁場情況下，只是在制備的過程中通入了少量氧氣，金屬合金膜也可以獲得很磁性質(zhì)和高頻性質(zhì)，如圖 1-3 所示。不同氧氣含量的Fe80Ni20–O薄膜具有很明顯的面內(nèi)單軸各向異性，飽和度幾乎接近一個常量，靜態(tài)磁導率以及鐵磁共振頻率與Landau–Lifshitz–GG)的計算結果一致。他們又利用Fe80Ni20-O的優(yōu)異的軟磁性質(zhì)及高頻性質(zhì)[Fe80Ni20–O/SiO2]n[28]多層膜和[Fe80Ni20–O/TiO2]n[29]多層膜。通過比較這兩

【參考文獻】：
期刊論文
[1]Fe/Si多層膜的層間耦合與界面擴散[J]. 倪經(jīng),蔡建旺,趙見高,顏世申,梅良模,朱世富.  物理學報. 2004(11)



本文編號：3123296