目的提高（SiC）_P的吸波性能。方法采用低成本、環(huán)保型的化學鍍鎳方法對（SiC）_P表面進行修飾,設計了氧化、親水、敏化、活化系列增強前處理工藝,確定了（SiC）_P表面修飾的最佳工藝流程。用SEM、EDS、XRD等分別表征了修飾前后（SiC）_P形貌、成分、物相的改變,采用波導法測定了修飾后碳化硅復合粉體的介電性能,并以其為吸波劑在鋁板上制備了吸波材料。結果修飾后,獲得了鍍層連續(xù)、無光滑（SiC）_P裸露的較高質量的碳化硅復合粉體（簡寫為（Ni/SiC）_P）。（Ni/SiC）_P較原粉（SiC）_P,其形貌、組成、結構發(fā)生了明顯改變,且介電常數(shù)、介電損耗、吸波性能明顯增強,其中,介電常數(shù)的實部增強約為22%,虛部增強約為20%。涂覆1層（Ni/SiC）_P涂料,在17.12 GHz時,RL=-15.47 dB,大于涂敷2層原粉（SiC）_P涂料的吸收效果。涂覆2層（Ni/SiC）

【文章來源】：表面技術. 2020,49(02)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 實驗
    1.1 試劑與原料
    1.2 試樣制備
        1.2.1（SiC）P的前處理
        1.2.2（SiC）P的修飾工藝
        1.2.3 表征方法
2 結果及分析
    2.1 Ni納米晶的沉積及Ni修飾前后（SiC）P的結構表征
        2.1.1 Ni納米晶的沉積
        2.1.2 實物比較
        2.1.3 形貌及成分
        2.1.4 物相分析
    2.2 修飾前后（SiC）P的性能分析
        2.2.1 涂層制備
        2.2.2（Ni/SiC）P的介電性能
        2.2.3（Ni/SiC）P的吸波性能
        2.2.4（Ni/SiC）P的介電增強機理分析
3 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]鎳基納米（SiC）P化學復合鍍層的研究[J]. 宿輝,張兆國,尹志娟.  表面技術. 2010(02)
[2]化學鍍制備Ni包覆納米SiC核殼顆粒及其介電響應[J]. 鄒桂真,曹茂盛,張亮,金海波,宿輝,王正平.  無機材料學報. 2006(04)
[3]SiC顆粒的表面修飾及結構表征[J]. 宿輝,曹茂盛,王正平,鄒桂真.  材料工程. 2005(02)
[4]SiC納米/微米粒子表面修飾、涂覆的研究進展[J]. 宿輝,鄒桂真,曹茂盛.  材料工程. 2004(10)



本文編號：3089702