在含偏鋁酸鈉的電解液體系中,通過微弧氧化技術在鋁基復合材料表面制備了微弧氧化膜。研究了偏鋁酸鈉的質量濃度對微弧氧化膜的表面形貌、成分、晶體結構、結合力及耐蝕性的影響,同時研究了電解液的利用效率。結果表明:當偏鋁酸鈉的質量濃度為1.8 g/L時,電弧大小適中,微弧氧化膜的結合力和耐蝕性均較好,并且電解液中不易形成氫氧化鋁膠體沉淀。 

【文章來源】：電鍍與環(huán)保. 2020,40(03)北大核心

【文章頁數(shù)】：3 頁

【部分圖文】：

圖１偏鋁酸鈉的不同質量濃度下所得微弧??氧化膜的表面形貌??

面形貌及成分??圖１為偏鋁酸鈉的不同質量濃度下所得微弧氧??化膜的表面形貌。由圖１可知：隨著偏鋁酸鈉的質??量濃度的增加，微弧氧化膜由薄變厚；當偏鋁酸鈉的??質量濃度為１．８?ｇ／Ｌ時，電弧大小適中，微弧氧化膜??均勻、致密、平整、連成片狀；當偏鋁酸鈉的質量濃度??大于１．?８?ｇ／Ｌ時，微弧氧化膜變得粗糙。??（ａ）?０．６?ｇ／Ｌ?（ｂ）?１．２?ｇ／Ｌ??（ｃ）?１．８?ｇ／Ｌ?（ｄ）?２．４?ｇ／Ｌ??圖１偏鋁酸鈉的不同質量濃度下所得微弧??氧化膜的表面形貌??圖２為微弧氧化膜的能譜分析結果。微弧氧化??膜中主要成分的質量分數(shù)為：Ａ１?３２．?９４％，Ｓｉ??３０．４９％，?Ｏ?２９．?９２％，?Ｐ?３．?４７％，?Ｎａ?０．?４８％，?Ｃ??２．６９％。微弧氧化膜主要由八１、＆、０組成。八１、３；、??Ｃ來自基體，Ｐ、Ｎａ來自電解液。??Ｅ／ｋｅＷ??圖２微弧氧化膜的能譜分析結果??２．２晶體結構??在含１．?８?ｇ／Ｌ偏鋁酸鈉的電解液中所得微弧氧??化膜的ＸＲＤ圖如圖３所示。由圖３可知：微弧氧化??膜中含有常壓下穩(wěn)定的二元固溶體莫來石??？?？??

面形貌及成分??圖１為偏鋁酸鈉的不同質量濃度下所得微弧氧??化膜的表面形貌。由圖１可知：隨著偏鋁酸鈉的質??量濃度的增加，微弧氧化膜由薄變厚；當偏鋁酸鈉的??質量濃度為１．８?ｇ／Ｌ時，電弧大小適中，微弧氧化膜??均勻、致密、平整、連成片狀；當偏鋁酸鈉的質量濃度??大于１．?８?ｇ／Ｌ時，微弧氧化膜變得粗糙。??（ａ）?０．６?ｇ／Ｌ?（ｂ）?１．２?ｇ／Ｌ??（ｃ）?１．８?ｇ／Ｌ?（ｄ）?２．４?ｇ／Ｌ??圖１偏鋁酸鈉的不同質量濃度下所得微弧??氧化膜的表面形貌??圖２為微弧氧化膜的能譜分析結果。微弧氧化??膜中主要成分的質量分數(shù)為：Ａ１?３２．?９４％，Ｓｉ??３０．４９％，?Ｏ?２９．?９２％，?Ｐ?３．?４７％，?Ｎａ?０．?４８％，?Ｃ??２．６９％。微弧氧化膜主要由八１、＆、０組成。八１、３；、??Ｃ來自基體，Ｐ、Ｎａ來自電解液。??Ｅ／ｋｅＷ??圖２微弧氧化膜的能譜分析結果??２．２晶體結構??在含１．?８?ｇ／Ｌ偏鋁酸鈉的電解液中所得微弧氧??化膜的ＸＲＤ圖如圖３所示。由圖３可知：微弧氧化??膜中含有常壓下穩(wěn)定的二元固溶體莫來石??？?？??


本文編號：3021144