納米材料由于獨特的量子效應在光電領域有著良好的應用前景。其中InP納米材料由于具有和CdSe相近的能帶結構、較低的毒性以及可調諧的覆蓋可見光和近紅外波段的發(fā)光波長成為最有應用前景材料之一。納米材料應用主要集中在其光學性質方面,以前的研究主要集中在Cd基納米材料上,對于InP納米材料的研究很少,這就是本課題研究的出發(fā)點。本課題主要對ZnS殼層鈍化的InP納米材料的光學性質開展了研究工作,系統(tǒng)的研究了InP/ZnS納米材料的光學性質。采用溶劑熱法得到高質量的InP/ZnS量子點樣品,并對制備的樣品進行退火處理。通過變溫與變功率的熒光光譜對樣品進行表征,從而得到退火對樣品光學性質的準確影響。為之后以InP/ZnS納米材料為基礎的LED、激光器、探測器的研究提供了技術支持。通過Z-scan技術研究InP/ZnS量子點的非線性光學性質。為InP/ZnS量子點在非線性光學器件、光限幅領域的應用提供基礎支持。 

【文章來源】：長春理工大學吉林省

【文章頁數(shù)】：55 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

室溫下InP的能帶結構

InP/ZnS變溫PL譜

InP/ZnS帶邊發(fā)光的分峰示意圖

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2993483