在近年來(lái)的半導(dǎo)體材料發(fā)展中,Ⅲ族氮化物在其中扮演了重要的角色。其中的GaN已經(jīng)被廣泛應(yīng)用,而同族的InN的研究熱潮正在掀起。InN在Ⅲ族氮化物中具有最小的有效電子質(zhì)量、最大的電子飽和速率、最小的帶隙和最高的電子遷移率等優(yōu)異特性。這些獨(dú)特的性質(zhì)使得InN在太陽(yáng)能電池、探測(cè)器、高頻器件等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用前景。Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體能形成具有直接帶隙的連續(xù)合金體系,帶隙范圍可從0.7 eV（InN）到6.2 eV（AlN）。在InGaN三元體系中,通過(guò)合適的組分控制可以實(shí)現(xiàn)0.7～3.4 eV的帶隙可調(diào),由此可以制備出近乎覆蓋整個(gè)太陽(yáng)光譜的太陽(yáng)能電池。但是由于InN的分解溫度低等限制,使得用傳統(tǒng)技術(shù)生長(zhǎng)高晶體質(zhì)量的InN薄膜和富In組分的InGaN薄膜非常難以實(shí)現(xiàn)。本文采用PE-ALD生長(zhǎng)InN和InGaN薄膜材料。針對(duì)InN的生長(zhǎng),本文尋找了生長(zhǎng)的ALD窗口,對(duì)生長(zhǎng)溫度、等離子體功率、生長(zhǎng)襯底等都進(jìn)行了探究。本文首先研究了 ALD生長(zhǎng)的溫度窗口;接下來(lái),由于PE-ALD不同于傳統(tǒng)的熱ALD,本文也針對(duì)等離子體的功率進(jìn)行研究,觀察射頻功率對(duì)晶體質(zhì)量的影響;對(duì)基本的生長(zhǎng)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化之后,本文選擇了幾... 

【文章來(lái)源】：南昌大學(xué)江西省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：49 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【圖文】：

圖４?ＡＬＤ生長(zhǎng)Ａ１２０３??Ｆｉｇｕｒｅ?４?ｔｈｅ?ｇｒｏｗｔｈ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｏｆ?ＡＩ２Ｏ３?ｂｙ?ＡＬＤ??

圖５?ＡＬＤ生長(zhǎng)Ａ１２０３??Ｆｉｇｕｒｅ?５?ｔｈｅ?ｇｒｏｗｔｈ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｏｆ?ＡＩ２Ｏ３?ｂｙ?ＡＬＤ??

圖６?ＡＬＤ生長(zhǎng)Ａ１２０３??Ｆｉｇｕｒｅ?６?ｔｈｅ?ｇｒｏｗｔｈ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｏｆ?ＡＩ２Ｏ３?ｂｙ?ＡＬＤ??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]CIGS雙梯度帶隙吸收層的制備及特性[J]. 李強(qiáng),康振鋒,劉文德,鄭平平,肖玲玲,范悅,薄青瑞,齊彬彬,丁鐵柱.  真空. 2014(01)



本文編號(hào)：2977175