氧化亞銅（Cu₂O）薄膜在光電轉(zhuǎn)化和光電化學(xué)轉(zhuǎn)化方面具有良好的應(yīng)用前景,Cu₂O薄膜的導(dǎo)電性調(diào)控和導(dǎo)電機(jī)制研究對(duì)于提高Cu₂O薄膜的光電轉(zhuǎn)化效率具有重要意義。本工作利用歸中反應(yīng)在pH=5的弱酸性硫酸銅（CuSO₄）溶液中制備了Cu₂O薄膜,通過(guò)在溶液中加入不同濃度的硝酸鉀（KNO₃）來(lái)調(diào)控Cu₂O薄膜的導(dǎo)電類型,并在分析薄膜生長(zhǎng)過(guò)程的基礎(chǔ)上研究了KNO₃濃度對(duì)Cu₂O薄膜導(dǎo)電類型的調(diào)控機(jī)制。此外,本工作利用電化學(xué)阻抗譜技術(shù)和光電流表征技術(shù)分析了Cu₂O薄膜的導(dǎo)電機(jī)制。全文主要內(nèi)容及結(jié)果如下:（1）將銅箔置于pH=5的CuSO₄溶液中,通過(guò)在溶液中加入不同濃度的KNO₃得到了不同導(dǎo)電類型的Cu₂O薄膜。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)KNO₃濃度≦0.75 mol dm^-3時(shí),Cu<... 

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光電化學(xué)測(cè)試裝置示意圖

第二章 實(shí)驗(yàn)方法和設(shè)備(1) 測(cè)試條件電化學(xué)阻抗譜測(cè)試均在制備 Cu2O 薄膜的電鍍液中進(jìn)行以模擬 Cu2O 薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的電荷傳遞速率變化。干擾信號(hào)的振幅為 5 mV，自動(dòng)選擇靈敏度。工作電極為Cu 電極，對(duì)電極為石墨棒，參比電極為 Ag/AgCl (飽和 KCl)電極。電化學(xué)阻抗譜的測(cè)試裝置示意圖如圖 2.2 所示。

圖 3.1 在含有不同濃度 KNO3的電鍍液中制備的 Cu2O 薄膜的 XRD 圖。e 3.1 XRD patterns of Cu2O films grown in the plating solutions with diconcentrations of KNO3.以測(cè)試固體表面的化學(xué)組成或元素組成、原子價(jià)態(tài)等信息，其對(duì) Cu2O 薄膜進(jìn)行 XPS 測(cè)試可以進(jìn)一步準(zhǔn)確測(cè)量 Cu2O 薄膜表由 Cu2O 薄膜的 XPS 全譜圖(圖 3.2 (a))可知，圖中無(wú) N 元素的 398 eV)出現(xiàn)，即 KNO3的加入并不會(huì)在 Cu2O 薄膜內(nèi)引入 N 摻 薄膜的 Cu 2p 分區(qū)圖，圖中在結(jié)合能 932.5 eV 和 952.4 eV 處分別對(duì)應(yīng)于Cu2O 的 Cu2p3/2和Cu2p1/2的特征峰[70]，且隨著電鍍，Cu 2p 的特征峰位置及強(qiáng)度變化不大，無(wú) Cu2+的峰出現(xiàn)，這不會(huì)影響Cu2O 的組成。由于 Cu0和Cu+的結(jié)合能位置相近(相差 Cu 2p 圖結(jié)合能的位置上區(qū)別 Cu+和 Cu[71]。然而，Cu2O 和 Cu 的能峰位分別為 570.0 eV、568.0 eV，相差 2 eV，所以可通過(guò) C

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]In-situ design and construction of lithium-ion battery electrodes on metal substrates with enhanced performances:A brief review[J]. Weixin Zhang,Yingmeng Zhang,Zeheng Yang,Gongde Chen,Guo Ma,Qiang Wang.  Chinese Journal of Chemical Engineering. 2016(01)



本文編號(hào)：2973211