含多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備與性能研究
發(fā)布時(shí)間:2020-12-24 20:29
硒化鎘量子點(diǎn)(CdSe Quantum Dots,CdSe QDs)是研究最早的II-VI族半導(dǎo)體納米晶之一,因制備工藝成熟、發(fā)光效率高、光學(xué)性能好等優(yōu)勢被廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)及光電領(lǐng)域。但在生物醫(yī)學(xué)上應(yīng)用CdSe量子點(diǎn)還需解決其親水性及毒性大等問題。本論文從制備粒徑分布均勻的硒化鎘/硫化鋅鎘量子點(diǎn)(CdSe/ZnCdS QDs)出發(fā),利用不同種類的硅烷偶聯(lián)劑與量子點(diǎn)的相互作用,采用簡單的溶膠凝膠法及微乳液法制備了含多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球。具體獲得以下實(shí)驗(yàn)結(jié)果:(1)有機(jī)溶液法制備CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)為制備尺寸均勻的量子點(diǎn),在有機(jī)溶液法的基礎(chǔ)上深入討論反應(yīng)溶劑、前驅(qū)體注入速度、核的物質(zhì)的量濃度等條件對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響,最終獲得了粒徑分布均勻,熒光光譜半峰寬約為32 nm的CdSe/ZnCdS量子點(diǎn),其發(fā)光效率高達(dá)60%。(2)含有多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備表征在傳統(tǒng)的“St(?)ber”法基礎(chǔ)上改進(jìn)工藝,通過簡單的方法一步直接制備了單分散、尺寸分布均勻、發(fā)光效率高、含多個(gè)量子點(diǎn)的二氧化硅納米球,其發(fā)光效率高達(dá)初始量子點(diǎn)發(fā)光效率值的60...
【文章來源】:天津理工大學(xué)天津市
【文章頁數(shù)】:56 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 量子點(diǎn)概述
1.2.1 量子點(diǎn)的基本性質(zhì)
1.2.2 量子點(diǎn)的發(fā)光原理
1.2.3 量子點(diǎn)的光學(xué)特性
1.3 量子點(diǎn)的制備發(fā)展
1.3.1 II-VI族鎘系量子點(diǎn)核的制備
1.3.2 II-VI族鎘系量子點(diǎn)核殼結(jié)構(gòu)的制備
1.4 量子點(diǎn)應(yīng)用
1.4.1 量子點(diǎn)光電應(yīng)用
1.4.2 量子點(diǎn)生物應(yīng)用
1.5 論文研究目的及主要研究內(nèi)容
第二章 高熒光CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的制備研究
2.1 引言
2.2 實(shí)驗(yàn)部分
2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
2.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器及性能分析
2.2.3 CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的制備
2.3 結(jié)果與討論
2.3.1 尺寸分布均勻的CdSe核的制備
2.3.2 高熒光CdSe/ZnCdS核殼量子點(diǎn)的制備
2.3.3 對(duì)比分析粒徑分布不同的核制備的CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)
2.4 本章小結(jié)
第三章 含有多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備表征
3.1 引言
3.2 實(shí)驗(yàn)部分
3.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
3.2.2 含有多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 含多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的多步制備法
3.3.2 含多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的簡單制備
3.4 本章小結(jié)
第四章 微乳液法制備含多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球
4.1 引言
4.2 實(shí)驗(yàn)部分
4.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
4.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器
4.2.3 微乳液法制備含多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球
4.3 結(jié)果與討論
4.4 本章小結(jié)
第五章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士期間主要成果
致謝
本文編號(hào):2936267
【文章來源】:天津理工大學(xué)天津市
【文章頁數(shù)】:56 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 量子點(diǎn)概述
1.2.1 量子點(diǎn)的基本性質(zhì)
1.2.2 量子點(diǎn)的發(fā)光原理
1.2.3 量子點(diǎn)的光學(xué)特性
1.3 量子點(diǎn)的制備發(fā)展
1.3.1 II-VI族鎘系量子點(diǎn)核的制備
1.3.2 II-VI族鎘系量子點(diǎn)核殼結(jié)構(gòu)的制備
1.4 量子點(diǎn)應(yīng)用
1.4.1 量子點(diǎn)光電應(yīng)用
1.4.2 量子點(diǎn)生物應(yīng)用
1.5 論文研究目的及主要研究內(nèi)容
第二章 高熒光CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的制備研究
2.1 引言
2.2 實(shí)驗(yàn)部分
2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
2.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器及性能分析
2.2.3 CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的制備
2.3 結(jié)果與討論
2.3.1 尺寸分布均勻的CdSe核的制備
2.3.2 高熒光CdSe/ZnCdS核殼量子點(diǎn)的制備
2.3.3 對(duì)比分析粒徑分布不同的核制備的CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)
2.4 本章小結(jié)
第三章 含有多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備表征
3.1 引言
3.2 實(shí)驗(yàn)部分
3.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
3.2.2 含有多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的制備
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 含多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的多步制備法
3.3.2 含多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球的簡單制備
3.4 本章小結(jié)
第四章 微乳液法制備含多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球
4.1 引言
4.2 實(shí)驗(yàn)部分
4.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
4.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器
4.2.3 微乳液法制備含多個(gè)CdSe/ZnCdS量子點(diǎn)的二氧化硅納米球
4.3 結(jié)果與討論
4.4 本章小結(jié)
第五章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士期間主要成果
致謝
本文編號(hào):2936267
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