利用化學氣相沉積法原位生長Si C納米線,制備出Si C納米線增強Si Cf/Si C復合材料。研究了Si C納米線及Si C納米線/基體熱解碳界面調控對復合材料的力學性能、裂紋擴展行為、纖維與基體之間的結合強度的作用。研究表明:Si C納米線的引入能顯著提高復合材料的致密化效果。通過調控Si C納米線/基體的界面厚度,可顯著提高復合材料的力學性能。Si C納米線的引入提高了纖維/基體的界面結合強度,而Si C納米線表面熱解碳的引入可改善纖維/基體的界面結合強度。此外,碳化硅納米線及其界面調控,能有效優(yōu)化基體的微區(qū)力學行為及斷裂模式。 

【文章來源】：硅酸鹽學報. 2016年10期 北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實驗
    1.1 Si CNWs/Si C纖維多級增強體制備
    1.2 樣品制備
    1.3 性能表征
2 結果與討論
    2.1 Si CNWs/Si C纖維多級增強體結構
    2.2 復合材料的力學性能
3 結論



本文編號：2930060