氧化亞銅和釩酸鉍光電極的制備及其光電化學分解水性能研究
發(fā)布時間:2020-12-15 19:32
隨著工業(yè)化進程的加快和人口的急速增長,人類正面臨嚴峻的能源短缺和環(huán)境惡化的危機。太陽能作為一種新能源,具有清潔、高效、可再生等優(yōu)勢,光電化學技術可以將太陽能加以合理利用,而合適的半導體材料在光電化學中發(fā)揮著重要的作用,其中,過渡金屬氧化物半導體材料比較常見,如Cu2O和BiVO4。Cu2O具有合適的帶隙、光響應好、價格低廉等優(yōu)勢在光電化學領域受到廣泛關注,但由于在電解液中易發(fā)生光腐蝕且光電性能較低,限制了它的應用,本論文通過修飾手段,提高了Cu2O光電極的光電性能和光穩(wěn)定性。此外,還制備出了多孔的BiVO4薄膜光電極,最后為了提高光轉換效率,設計出串聯(lián)器件,具體的研究工作如下:(1)通過化學浴沉積法原位制備Cu2O納米線光電極,實驗結果表明,當煅燒溫度為600℃,煅燒時間為4h,制備的Cu/Cu2O納米線光電極的光電流密度最大,在模擬太陽光,相對于可逆氫電勢為0V時,產(chǎn)生的光電流密度為4.02mA/cm2。(2)...
【文章來源】:湘潭大學湖南省
【文章頁數(shù)】:69 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
PEC池的結構示意圖
圖 1.3 pH=0,相對于 NHE 和真空能級下,半導體材料的能帶位置示意圖[5除了上述的合適的禁帶寬度、導帶、價帶位置外,影響 PEC 分解水性因素還有光照激發(fā)后產(chǎn)生的光生電子-空穴對的多少、遷移速率和分離效率1.3 Cu2O 概述[6]Cu2O 是一種典型的 p 型半導體,帶隙為 2eV,在模擬太陽光的照射下應的理論光電流為-14.7mA/cm2,光電轉換效率為 18%[7]。目前,Cu2O 已化分解水[8, 9]、降解有機污染物[10]、太陽能電池[11]、傳感器[12]、有機合成[1氧化[14]等領域得到了廣泛應用,是一種非常有潛力的 PEC 光電極材料。1.3.1 Cu2O 光電極的制備方法1.3.1.1 電化學法電化學法是通過電解質將兩個或多個電極分開,并在電極間傳遞電流來光電極的方法[15]。此方法操作簡單,可以制備納米線、薄膜等形貌結構的光
第 1 章 緒論此外,在 Cu2O 光電極表面修飾碳不僅可以提高光電流,也可以有效地抑Cu2O 的光腐蝕。Hou 等[34]在 Cu2O 表面沉積石墨烯和 Au-Cu 作為助催化劑,備了 Cu/Cu2O 納米線/石墨烯/Au-Cu 復合光電極(如圖 1.4 所示),在模擬太光照射下,與純 Cu2O 和 Cu2O/石墨烯光電極相比,Cu/Cu2O 納米線/石墨烯/Au-復合光電極具有更大的光電流,電荷得到了更加有效的分離。Zhang 等[36]在 Cu2納米線外沉積碳,制備了 Cu/Cu2O 納米線/C 復合光電極,并測試了其 PEC 性能實驗結果表明,當碳層厚度為 20nm 時,復合光電極表現(xiàn)出較好的 PEC 性能在模擬太陽光照射下,當施加偏壓為 0V vs.RHE 時,光電流達到了–3.95mA/cm在光穩(wěn)定性測試中,相對于純 Cu2O,具有碳層保護的 Cu2O 光電極的光穩(wěn)定也大大增強。最新的一項研究中,Yu 等[46]先合成了 Cu(OH)2納米管,隨后將
【參考文獻】:
期刊論文
[1]基于氧化亞銅光電極的制備及其光電化學性能的研究進展[J]. 付星晨,顏德健,劉冀鍇. 化工進展. 2018(01)
博士論文
[1]氧化鐵光電極的改性及光電催化分解水性能研究[D]. 鄧久軍.蘇州大學 2016
本文編號:2918796
【文章來源】:湘潭大學湖南省
【文章頁數(shù)】:69 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
PEC池的結構示意圖
圖 1.3 pH=0,相對于 NHE 和真空能級下,半導體材料的能帶位置示意圖[5除了上述的合適的禁帶寬度、導帶、價帶位置外,影響 PEC 分解水性因素還有光照激發(fā)后產(chǎn)生的光生電子-空穴對的多少、遷移速率和分離效率1.3 Cu2O 概述[6]Cu2O 是一種典型的 p 型半導體,帶隙為 2eV,在模擬太陽光的照射下應的理論光電流為-14.7mA/cm2,光電轉換效率為 18%[7]。目前,Cu2O 已化分解水[8, 9]、降解有機污染物[10]、太陽能電池[11]、傳感器[12]、有機合成[1氧化[14]等領域得到了廣泛應用,是一種非常有潛力的 PEC 光電極材料。1.3.1 Cu2O 光電極的制備方法1.3.1.1 電化學法電化學法是通過電解質將兩個或多個電極分開,并在電極間傳遞電流來光電極的方法[15]。此方法操作簡單,可以制備納米線、薄膜等形貌結構的光
第 1 章 緒論此外,在 Cu2O 光電極表面修飾碳不僅可以提高光電流,也可以有效地抑Cu2O 的光腐蝕。Hou 等[34]在 Cu2O 表面沉積石墨烯和 Au-Cu 作為助催化劑,備了 Cu/Cu2O 納米線/石墨烯/Au-Cu 復合光電極(如圖 1.4 所示),在模擬太光照射下,與純 Cu2O 和 Cu2O/石墨烯光電極相比,Cu/Cu2O 納米線/石墨烯/Au-復合光電極具有更大的光電流,電荷得到了更加有效的分離。Zhang 等[36]在 Cu2納米線外沉積碳,制備了 Cu/Cu2O 納米線/C 復合光電極,并測試了其 PEC 性能實驗結果表明,當碳層厚度為 20nm 時,復合光電極表現(xiàn)出較好的 PEC 性能在模擬太陽光照射下,當施加偏壓為 0V vs.RHE 時,光電流達到了–3.95mA/cm在光穩(wěn)定性測試中,相對于純 Cu2O,具有碳層保護的 Cu2O 光電極的光穩(wěn)定也大大增強。最新的一項研究中,Yu 等[46]先合成了 Cu(OH)2納米管,隨后將
【參考文獻】:
期刊論文
[1]基于氧化亞銅光電極的制備及其光電化學性能的研究進展[J]. 付星晨,顏德健,劉冀鍇. 化工進展. 2018(01)
博士論文
[1]氧化鐵光電極的改性及光電催化分解水性能研究[D]. 鄧久軍.蘇州大學 2016
本文編號:2918796
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