量子點及量子點摻雜光纖增益器件的理論研究
【學位授予單位】:浙江工業(yè)大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:TB383.1;TN722
【圖文】:
鄓夥糯篤鰨噱迪秩鄓饌ㄐ擰M?1 一般光纖通信系統(tǒng)原理圖1.1.2 光放大器全光放大器不需要進行光電轉換,完全以光的形式放大信號光功率。光放大器的基本概念是由 Geusic 和 Scovil 在 1962 年首先提出來的。此后不久,1964 年美國光學公司的 E.Snitzer 發(fā)明了光纖放大器,他提出了一種波長在 1060nm 處的銣摻雜光纖放大器,該光纖放大器是由纖芯直徑為10 m,包層厚度為0.75-1.5mm,長度為 1m 的光纖環(huán)繞在燈管上制成的,燈管用來激發(fā)銣離子。其中光纖末端被打磨成斜面以防止激光振蕩,這一技術在 20 多年后被再次應用起來。Snitzer 提出可以將光纖放大器用于通信領域
圖 2 簡化的 Er3+能級結構在 980nm 激光的激勵下,Er3+基態(tài)中的電子吸收一個光子后躍遷到上能級,因為上能級的壽命很短,約為 1us,所以激發(fā)電子迅速從泵浦能級躍遷到亞穩(wěn)能級,以聲子或熱振動的形式釋放一部分能量,亞穩(wěn)能級具有較長的熒光壽命,約為 10ms在亞穩(wěn)定能帶中,受激電子通常分布在能量較低的能級上,然后在信號光子的誘導下躍遷到基態(tài)能級,釋放一個與之完全相同的光子。摻鉺光纖的制備是制作 EDFA 的關鍵,一般制備低損耗二氧化硅光纖的方法有三種:水解作用、氧化作用和溶膠凝膠法[15-16]。其中水解作用和氧化作用的具體實現(xiàn)需要用到改進的化學氣相沉積(modified chemical vapor deposition,MCVD)、氣相軸向沉積(vapor axial deposition,VAD)和外部氣相沉積(outside vapordeposition,OVD),這三種方法主要區(qū)別在于沉積物的位置不同[17-20]。而制備摻鉺光纖的方法主要有氣相沉積法、溶液摻雜法和拉制法。其中氣相沉積法有 MCVD、
圖 3 EDFA 基本工作原理目前互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展產(chǎn)生了大量數(shù)據(jù),為滿足日益增長的數(shù)據(jù)傳輸需求,需要進一步擴大光纖通信系統(tǒng)的傳輸容量。EDFA 的傳統(tǒng)工作區(qū)域較窄,只有 30nm,將其與拉曼光纖放大器結合,可以使其工作范圍擴展到 75nm(1531-1616nm)。之后通過采用雙向、反向、多級泵浦、改變摻雜元素、共摻雜等方法來增強 EDFA的帶寬和平坦增益,發(fā)現(xiàn)很難進一步對其工作區(qū)域進行擴展,需要研究新型寬帶寬的光纖放大器。此時,量子點引起了人們的注意,量子點是納米尺度的半導體,由于尺寸減小引起的量子約束效應,使得量子點的能級產(chǎn)生分立,且量子點的帶隙是由其尺寸決定的,量子點的吸收峰和熒光峰波長可以通過其粒徑進行調(diào)節(jié)。在量子點樣品中,其粒徑呈現(xiàn)一定的分布,導致其輻射譜展寬,因此將量子點用作光放大可以得到寬帶很寬的光放大器。1.2 量子點材料
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本文編號:2800030
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