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利用SERS光譜對(duì)金屬—染料—半導(dǎo)體DSSC體系中電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程的研究

發(fā)布時(shí)間:2020-07-31 10:36
【摘要】:自染料敏化太陽(yáng)能電池(Dye-sensitized solar cell,DSSC)問世以來(lái),人們一直從增加吸光能力、促進(jìn)更大程度的電荷轉(zhuǎn)移(Charge-transfer,CT)過(guò)程兩方面不斷提升這一高效、低價(jià)電池的效率。本論文利用表面增強(qiáng)拉曼散射(Surface-enhanced Raman scattering,SERS)光譜具有監(jiān)測(cè)CT過(guò)程的特性,以DSSC光陽(yáng)極上常見的材料構(gòu)建適合利用SERS光譜研究CT過(guò)程的半導(dǎo)體-染料-金屬體系,成功建立了一種利用SERS光譜對(duì)金屬-染料-半導(dǎo)體DSSC結(jié)構(gòu)中CT過(guò)程的研究方法,這無(wú)論是對(duì)于理解其中CT過(guò)程,還是對(duì)于今后提高電池效率,都至關(guān)重要。本論文創(chuàng)新成果如下:(1)利用SERS光譜對(duì)Ag/N719/n-TiO_2體系中CT過(guò)程進(jìn)行研究。通過(guò)改變體系中TiO_2層數(shù)、調(diào)節(jié)激發(fā)光波長(zhǎng)等方法,明確了CT過(guò)程改變了SERS光譜的哪些部分,成功建立起以金屬-N719-半導(dǎo)體為基底的DSSC體系中SERS光譜與CT過(guò)程之間的橋梁,并在此方法的基礎(chǔ)上進(jìn)行后續(xù)研究(2、3、4)。(2)探究Ag對(duì)于TiO_2/N_3/Ag結(jié)構(gòu)CT過(guò)程的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,Ag的等離子體共振(Surface plasmon resonance,SPR)效應(yīng)可以增強(qiáng)該體系的光學(xué)吸收、拓寬光響應(yīng)范圍。此外,Ag的費(fèi)米能級(jí)為CT提供一個(gè)新的路徑,這在增強(qiáng)電荷轉(zhuǎn)移度(ρCT)的同時(shí)將CT閾值由2.071 e V(TiO_2/N_3)降低至1.877 e V(TiO_2/N_3/Ag)。最后,討論了TiO_2煅燒溫度的差異對(duì)于TiO_2/N_3/Ag體系CT過(guò)程的影響。(3)探究ZnO-TiO_2異質(zhì)結(jié)對(duì)于ZnO-TiO_2/N_3/Ag結(jié)構(gòu)CT過(guò)程的影響。ZnO、TiO_2之間存在的由CT誘導(dǎo)的協(xié)同效應(yīng)可以促進(jìn)該體系中電子-空穴分離從而提高DSSC的CT效率。此外,Ag也會(huì)參與到ZnO、TiO_2之間的CT過(guò)程中從而降低誘導(dǎo)協(xié)同效應(yīng)的CT閾值。(4)探究Au核對(duì)于Au@Ag/N_3/n-TiO_2結(jié)構(gòu)中CT過(guò)程及其閾值的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,Ag殼層中的Au核可以使能級(jí)重新排布形成較低的Au@Ag/TiO_2復(fù)合物能級(jí),從而降低有關(guān)于TiO_2的CT閾值。最后,討論了Au:Ag比值對(duì)于Au@Ag/N_3/n-TiO_2結(jié)構(gòu)中CT過(guò)程的影響。
【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TM914.4;TB30
【圖文】:

過(guò)程圖,光電流,過(guò)程,公式


)轉(zhuǎn)移至最低未占分子軌道(Lowest unoccupied m2 中過(guò)程 1);接下來(lái),如公式 1-2 所示,處于光激狀 TiO2的導(dǎo)帶(CB)中[11-14](圖 1-2 中過(guò)程 2);電子通過(guò) TiO2納米粒子遷移至 TCO 層,并通過(guò) 玻璃的對(duì)電極上;如公式 1-3 所示,電解液中的 狀態(tài)的染料還原為初始中性狀態(tài)并產(chǎn)生 I3-,這一程(圖 1-2 中過(guò)程 5);I3-經(jīng)由外電路擴(kuò)散至電池被還原為 I-。至此,形成一個(gè)完整的光電化學(xué)循同時(shí)發(fā)生不利于電池性能的電子轉(zhuǎn)移過(guò)程:TiO2料之間的復(fù)合(圖 1-2 中過(guò)程 6,如公式 1-5 所示表面上 I3-之間的復(fù)合(圖 1-2 中過(guò)程 7,如公式 1子直接通過(guò)非輻射松弛(去激發(fā))的形式回到基過(guò)程 8,如公式 1-7 所示)。其中,圖 1-2 中過(guò)程

利用SERS光譜對(duì)金屬—染料—半導(dǎo)體DSSC體系中電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程的研究


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