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ZnO基復(fù)合納米材料的設(shè)計、合成及其在生化傳感中的應(yīng)用

發(fā)布時間:2020-07-12 09:14
【摘要】:ZnO納米材料是面向21世紀(jì)的半導(dǎo)體材料,由于ZnO納米材料具有高的比表面、高的電子遷移速率、良好的化學(xué)性質(zhì)和熱穩(wěn)定性等優(yōu)良特性,且制備工藝簡單、成本低廉,因此被廣泛用于氣體傳感、催化研究、能源及光電材料等科研領(lǐng)域。通過科研人員的不斷努力,半導(dǎo)體氣體傳感器在靈敏度、選擇性等方面取得了長足的進步,使氣體傳感在有毒、有害及危險氣體檢測和控制等方面得到廣泛應(yīng)用。但目前市場上出售的ZnO氣體傳感器任然存在靈敏度低、穩(wěn)定性差使用壽命短等諸多問題,這就促使我們設(shè)計并制作一種高靈敏、高穩(wěn)定、選擇性好、響應(yīng)時間短且成本更低的高效新型ZnO生化傳感器。為成功制造這種新型高效ZnO生化傳感器,本研究主要從ZnO納米材料設(shè)計與制備、微電子機械系統(tǒng)(MEMS)半導(dǎo)體制造工藝及材料與器件結(jié)合三方面考慮設(shè)計并制造一種新型的高效旁熱式ZnO微氣體生化傳感器。首先,本論文從ZnO的尺寸控制方面考慮,設(shè)計一種復(fù)合納米材料;具體如下:(1)采用水熱反應(yīng)合成法制備直徑在90nm左右的ZnO納米線結(jié)構(gòu),掌握其生長原理并探索其生長規(guī)律;通過SEM、TEM、XRD等儀器設(shè)備對其形貌觀察及組成成份進行系列表征和分析;(2)在第一次合成的ZnO納米線的基礎(chǔ)上重新固定晶種,采用二次水熱反應(yīng)合成枝杈型復(fù)合ZnO納米材料方法探究及規(guī)律研究,借助SEM等設(shè)備進行表征和分析;其次,根據(jù)MEMS制造工藝的特點,巧妙地設(shè)計一種旁熱式氣體微傳感器及其制造方法。本文所述旁熱式氣體微傳感器采用旁熱式結(jié)構(gòu),減小了敏感材料所在區(qū)域絕緣層漏電對測試信號的干擾,在懸空的傳感器結(jié)構(gòu)表面的敏感電極區(qū)域使用分子氣相沉積設(shè)備沉積5nm厚度的十七氟癸基三甲氧基硅烷(FAS-17)形成圖形化的疏水疏油層,從而實現(xiàn)了敏感材料在敏感電極區(qū)域的簡單自對準(zhǔn)功能。最終實現(xiàn)旁熱式氣體微傳感器的主體直徑為300μm的圓,支撐梁的長為150μm,寬為20μm,叉指電極的寬及間距均為為3μm。最后,讓復(fù)合的ZnO納米材料和旁熱式氣體微傳感器結(jié)合形成新型的高效旁熱式ZnO微氣體生化傳感器。利用原位生長技術(shù)在旁熱式微氣體傳感器敏感電極區(qū)域水熱生長ZnO納米線,通過再次固定晶種和二次水熱生長實現(xiàn)ZnO枝杈型復(fù)合納米材料在特定位置的生長,并對其進行表征。使用制備的旁熱式ZnO微氣體傳感器對不同氣體進行測試,由于ZnO納米線的尺寸效應(yīng),表現(xiàn)出對H_2S氣體表現(xiàn)出響應(yīng)速度快、高靈敏、高穩(wěn)定和可重復(fù)性測試,測試下限為5ppb。利用在線質(zhì)譜等設(shè)備近一步研究發(fā)現(xiàn)傳感氣敏機理,由于H_2S為易燃;非覍θ梭w有很大的傷害,因此該課題的研究具有較強的理論指導(dǎo)意義和很高的實用價值.
【學(xué)位授予單位】:上海師范大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TB383.1;TP212

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本文編號:2751739

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