二氧化錫基催化劑的構(gòu)筑及其動力學(xué)過程
【圖文】:
圖1.1二氧化錫晶體結(jié)構(gòu)圖逡逑
§邋1.2.2.1邋摻雜逡逑摻雜就是用某種元素或是離子取代無機(jī)半導(dǎo)體中主原子的位置,基本示意圖逡逑如圖1.2所示。摻雜元素可以是金屬元素?fù)诫s(如Fe[23]、Sbl24],、&[25]、0)[26]等),逡逑也可以是非金屬元素(如F—等),,其主要目的是引入氧缺陷。氧缺陷能夠捕獲逡逑空穴,稱為空穴陷阱,光生空穴大部分被陷阱俘獲,減少了自由移動載流子中空逡逑穴的濃度,從而大大降低了自由的電子-空穴對復(fù)合率。當(dāng)然導(dǎo)帶上的非平衡載逡逑流子電子也有可能與陷阱中心上的空穴進(jìn)行復(fù)合,但復(fù)合概率很小,更可能發(fā)生逡逑的是陷阱中的空穴先被激發(fā)到價帶,然后再與光生電子復(fù)合。這樣就大大增大了逡逑自由非平衡電子的壽命。2017年山東大學(xué)的王文壽教授課題組通過原位錫離子逡逑自摻雜技術(shù),在二氧化錫顆粒中引入氧缺陷,用于驅(qū)動氧化還原顏色的可逆變化,逡逑其中氧缺陷一方面能拓寬二氧化錫對可見光的吸收,另一方面在光催化反應(yīng)的過逡逑程中氧缺陷可以起到自犧牲電子供體的作用
【學(xué)位授予單位】:揚(yáng)州大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:O643.36;TB383.1
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本文編號:2710253
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