【摘要】：納米粒子/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料在電氣絕緣領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。為了研究納米粒子分散性、質(zhì)量分?jǐn)?shù)對納米SiO_2/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料介電性能的影響,本文采用“超聲分散法”、“溶膠-凝膠法”和“高速攪拌法”三種方法,分別制備了納米SiO_2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1wt%、2wt%、3wt%和4wt%的納米SiO_2/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料,并對納米粒子在復(fù)合材料中的分散性進(jìn)行了定量表征,測試了納米SiO_2/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的介電譜特性,耐電暈特性和擊穿特性。在納米SiO_2含量為3wt%時(shí),獲取了基于三種制備方法的納米SiO_2/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的透射電鏡(TEM)圖像,并運(yùn)用Image J?軟件對圖像中特征參數(shù)進(jìn)行提取,并使用了樣方法-偏度值、樣方法-森下氏指數(shù)和最小鄰域距法來定量表征納米SiO_2粒子的分散性,結(jié)果表明,使用“高速攪拌法”制備的納米SiO_2/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中納米SiO_2分散性最好。對試樣進(jìn)行介電性實(shí)驗(yàn)后發(fā)現(xiàn),納米SiO_2/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料比純環(huán)氧樹脂材料的介電常數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值有所增加,擊穿場強(qiáng)有所提高,耐電暈特性有所增強(qiáng)。隨納米含量的增加,三種制備方法制備的納米復(fù)合材料介電常數(shù)均在納米SiO_2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3wt%時(shí)達(dá)到最大,而后降低;介質(zhì)損耗增大;擊穿場強(qiáng)升高,在納米SiO_2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3wt%時(shí)達(dá)到最大,而后降低;耐電暈特性增強(qiáng)。結(jié)合納米粒子分散性定量表征結(jié)果可知,納米粒子分散性越好,復(fù)合材料介電常數(shù)越小、擊穿性能越好、耐電暈性能越強(qiáng)。
[Abstract]:......
【學(xué)位授予單位】：哈爾濱理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號(hào)】：TB383.1;TB33

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2463997