本文選題：SiC涂層　切入點：化學氣相沉積　出處：《固體火箭技術(shù)》2017年02期

【摘要】：根據(jù)化學氣相沉積(CVD)工藝制備SiC陶瓷涂層的工藝特點和典型異形構(gòu)件的結(jié)構(gòu)特點,建立了異形構(gòu)件表面化學氣相沉積SiC涂層的數(shù)學模型。利用該模型,對CVD法在典型異形表面制備SiC涂層進行了數(shù)值計算和分析。計算結(jié)果顯示,帶有斜面的構(gòu)件對CVD SiC沉積過程有顯著影響,在反應器大小允許的情況下,構(gòu)件放置時,斜面與水平面的夾角越小越好,并盡可能將構(gòu)件長的一面與水平面平行,這樣有利于沉積的涂層均勻。此外,對于帶有臺階的構(gòu)件來說,正放的構(gòu)件表面濃度大于倒放的構(gòu)件,而濃度梯度則小于倒放的構(gòu)件。因此,在實際應用中,應盡量使臺階部分放在氣流的下游。上述研究結(jié)果對CVD工藝制備SiC涂層的優(yōu)化具有一定的指導意義。
[Abstract]:According to the process characteristics of SiC ceramic coating and the structural characteristics of typical special-shaped components, a mathematical model of chemical vapor deposition (SiC) coating on the surface of special-shaped components was established.Using this model, the numerical calculation and analysis of SiC coating on typical special-shaped surface by CVD method were carried out.The calculation results show that the CVD SiC deposition process is significantly affected by the components with inclined plane. When the reactor size is allowed, the smaller the angle between the inclined plane and the horizontal plane is, the better the angle between the inclined plane and the horizontal plane is.The long side of the component is parallel to the horizontal plane as much as possible.In addition, for the members with steps, the surface concentration of the components being placed is higher than that of the members placed back, while the gradient of concentration is smaller than that of the members placed back.Therefore, in practical application, step part should be placed downstream of air flow as far as possible.The above results have certain guiding significance for the optimization of SiC coating prepared by CVD process.
【作者單位】： 長安大學材料科學與工程學院;西北工業(yè)大學材料學院凝固技術(shù)國家重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金(51402024,51402023) 中央高�；究蒲袠I(yè)務費專項資金(310831152020,310831151081) 陜西省自然科學基金(2014JQ6212,2014JQ6217) 西北工業(yè)大學凝固技術(shù)國家重點實驗室博士后基金(12-BZ-2014)
【分類號】：TB306

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本文編號：1702647