發(fā)布時(shí)間：2018-03-21 20:36

  本文選題：石墨烯　切入點(diǎn)：化學(xué)氣相沉積　出處：《人工晶體學(xué)報(bào)》2017年01期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用化學(xué)氣相沉積法以乙醇為碳源在銅箔生長(zhǎng)的單層高質(zhì)量的石墨烯并將其轉(zhuǎn)移到SiO_2/Si基底上。然后在通過(guò)自組裝的方法在石墨烯表面覆蓋一層單層的PS微球陣列。采用反應(yīng)離子刻蝕的方法在一定的刻蝕條件下對(duì)其進(jìn)行刻蝕,隨著刻蝕的時(shí)間增加,PS微球的會(huì)被逐漸刻蝕掉,石墨烯也會(huì)在這個(gè)過(guò)程中隨著被刻蝕。將殘留的PS微球雜質(zhì)去掉后,會(huì)在SiO_2/Si基底上呈現(xiàn)出排列規(guī)整的石墨烯納米盤(pán)陣列。通過(guò)場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)、拉曼光譜對(duì)石墨烯納米盤(pán)及其形成過(guò)程進(jìn)行表征和分析,為后續(xù)制備高質(zhì)量石墨烯納米帶、石墨烯納米點(diǎn)、石墨烯納米盤(pán)提供參考。
[Abstract]:High quality graphene grown in copper foil was prepared by chemical vapor deposition with ethanol as carbon source and transferred to SiO_2/Si substrate. A single layer of PS microsphere array was then coated on the surface of graphene by self-assembly method. The reactive ion etching method was used to etch it under certain etching conditions. As the etching time increases, the PS microspheres will gradually be etched, and the graphene will also be etched along with the etching process. A structured array of graphene nanowires is presented on the SiO_2/Si substrate. The graphene nanowires and their formation processes are characterized and analyzed by field emission scanning electron microscopy (SEM) and Raman spectroscopy to prepare high quality graphene nanoribbons. Graphene nanowires, graphene nanodisks for reference.
【作者單位】： 西南科技大學(xué)無(wú)機(jī)非金屬材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11404304) 國(guó)家重點(diǎn)科學(xué)儀器和設(shè)備開(kāi)發(fā)項(xiàng)目(2014YQ090709) 中國(guó)工程物理研究院科學(xué)技術(shù)發(fā)展基金(2015B0302003)
【分類號(hào)】：TQ127.11;TB383.1

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1645442