本文關鍵詞： InO W薄膜 InO Sn薄膜 伽馬射線 光電性能 正電子湮沒　出處：《中國空間科學技術》2017年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：利用射頻磁控濺射法制備出具有良好光電性能的In_2O_3:W(IWO)薄膜,與購置的In_2O_3:Sn(ITO)薄膜一起,在伽馬射線地面加速模擬試驗設備中進行輻照試驗。對輻照前后兩種薄膜樣品的微觀結構、表面形貌、光電性能和元素價態(tài)進行對比分析,并用正電子湮沒方法研究輻照前后的缺陷情況。結果表明,伽馬射線輻照可引起ITO及IWO薄膜樣品中氧空位缺陷的少量增加,且缺陷主要產生于薄膜表層及薄膜與基底界面結合處。高能伽馬光子作用于透明導電氧化物薄膜,主要通過破壞其內部結合能較低的化學鍵,并實現(xiàn)薄膜系統(tǒng)中元素之間的選擇性重組。ITO與IWO具有良好的抗伽馬輻照性能,IWO相比ITO更適合于抗伽馬輻照相關應用。
[Abstract]:Prepared with good photoelectric properties of In_2O_3:W by RF magnetron sputtering (IWO) thin films, and the purchase of the In_2O_3:Sn (ITO) film, the gamma ray irradiation ground acceleration simulation test device. The microstructure of two kinds of thin film samples before and after irradiation the surface morphology, optical properties and elemental valence analysis, defects and studied by positron annihilation technique before and after irradiation. The results showed that gamma ray irradiation can cause a small amount of oxygen vacancies in ITO and IWO films increased, and the defects mainly occurred in the surface of the films and film and substrate interface. The high-energy gamma photon acting on the transparent conductive oxide films, mainly through its internal damage chemical bond energy is low, and the realization of the recombinant.ITO and IWO selectivity between the elements in the film system has good performance of anti gamma irradiation, compared to IWO ITO It is more suitable for gamma irradiation related applications.

【作者單位】： 北京航空航天大學物理科學與核能工程學院;
【基金】：國家自然科學基金(50902006) 航空科學基金(2012ZF51006)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： 引用格式:歐陽琪,王文文,郝維昌.透明導電氧化物薄膜的抗伽馬輻照性能研究[J].中國空間科學技術,2017,37(4):75-83.OUYANG Q,WANG W W,HAO W C.Research on gamma rays irradiation resistance properties of transparentconductive oxide thin films[J].Chinese Space Scienc

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