納米臺階高度標準樣塊的研制與評價
本文關鍵詞:納米臺階高度標準樣塊的研制與評價
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【摘要】:介紹了納米臺階高度標準樣塊的用途及國內研制樣塊的情況,設計了納米臺階高度樣塊的結構和制作工藝流程,制作了高度20nm~100nm的樣塊。以20nm、50nm、100nm為例對樣塊的臺階高度、臺階上下表面平行度、臺階測量區(qū)域的粗糙度、均勻性、穩(wěn)定性進行了考核。結果表明,研制的樣塊臺階高度與設計值基本一致,穩(wěn)定性好,與美國VLSI公司的相同高度的臺階高度標準樣塊相比,本文制作樣塊的平行度、粗糙度、均勻性與VLSI樣塊評價測量結果一致。
【作者單位】: 中國電子科技集團公司第十三研究所;
【分類號】:TB383.1
【正文快照】: 1引言隨著納米科技與超精密加工技術的快速發(fā)展,相關器件和結構的尺寸越來越小,測量精度的要求也越來越高[1],從而對微納米尺寸測量提出了更高的要求。臺階高度是器件的主要參數(shù),臺階儀、納米測量機等測量微納尺寸臺階高度的儀器,其準確度的保證是該參數(shù)準確測量的前提[2~4]。
【相似文獻】
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,本文編號:1289906
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