本文選題：銅互連　切入點(diǎn)：接觸去除　出處：《福州大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：針對互連芯片化學(xué)機(jī)械拋光去除機(jī)理的認(rèn)知不足,假設(shè)金屬材料彈塑性變形連續(xù),對單磨粒劃擦互連芯片的材料去除進(jìn)行了數(shù)值表征.通過芯片應(yīng)力分布和工藝參數(shù)對材料去除率分析發(fā)現(xiàn):平均法向力大于平均切向力;滑動摩擦系數(shù)、材料去除率隨拋光速度增加而增加;當(dāng)拋光速度為10~12 mm·s~(-1)時(shí),粒徑為30 nm的磨粒材料去除率最大;當(dāng)工作載荷為6μN(yùn),拋光速度為6~10 mm·s~(-1)時(shí),粒徑為30 nm的磨粒材料去除率略低,粒徑為60 nm的磨粒的材料去除率最大.
[Abstract]:In view of the lack of understanding of the removal mechanism of chemical-mechanical polishing of interconnect chips, it is assumed that the elastic-plastic deformation of metal materials is continuous. The material removal rate of single abrasive scraping interconnect chip is numerically characterized. Through the analysis of chip stress distribution and process parameters, it is found that the average normal force is greater than the average tangential force, and the sliding friction coefficient, the average normal force is greater than the average tangential force. The material removal rate increased with the increase of polishing speed, and the removal rate of the abrasive material with the particle size of 30 nm was the highest when the polishing speed was 10 ~ 12 mm 路s ~ (-1), and the removal rate of the abrasive material with the diameter of 30 nm was slightly lower when the working load was 6 渭 N and the polishing speed was 610 mm 路s-1). The removal rate of the abrasive particles with the particle size of 60 nm is the highest.
【作者單位】： 福州大學(xué)機(jī)械工程及自動化學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51375094) 福建省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2015J01195)
【分類號】：TG580.692;TH140

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9 王U，

本文編號：1618064