發(fā)布時(shí)間：2018-01-07 04:21

  本文關(guān)鍵詞：介質(zhì)阻擋放電電壓對(duì)陽極鍵合材料表面性能的影響　出處：《科學(xué)技術(shù)與工程》2017年16期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：通過親水角和表面形貌兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn),探究了介質(zhì)阻擋放電電壓對(duì)低溫陽極鍵合材料性能的影響。實(shí)驗(yàn)采用1 mm厚的玻璃片和2 mm厚的氧化鋁陶瓷片作為阻擋介質(zhì),在放電時(shí)間為10 s,放電間隙1.5 mm的放電條件下進(jìn)行活化。實(shí)驗(yàn)表明,放電電壓為24 kV時(shí),活化效果較好,此時(shí)玻璃片親水角14.3°,硅片親水角33.5°,玻璃片粗糙度為0.643 nm,硅片粗糙度0.419 nm。
[Abstract]:Hydrophilic angle and surface morphology were adopted. The effect of dielectric barrier discharge voltage on the properties of low temperature anodic bonding material was investigated. 1 mm thick glass plate and 2 mm thick alumina ceramic chip were used as barrier medium in the experiment, and the discharge time was 10 s. When the discharge voltage is 24 kV, the activation effect is better. The hydrophilic angle of glass is 14.3 擄and the hydrophilic angle of silicon is 33.5 擄. The roughness of glass is 0.643 nm, and the roughness of silicon is 0.419 nm.
【作者單位】： 蘇州大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院機(jī)器人與微系統(tǒng)研究中心;
【基金】：高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金(20133201130003) 國家重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)專項(xiàng)資金(2013YQ470767)資助
【分類號(hào)】：TH-39
【正文快照】： 基金(20133201130003)和國家重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)專項(xiàng)資金(2013YQ470767)資助引用格式:方智立,潘明強(qiáng),李正潮,等.介質(zhì)阻擋放電電壓對(duì)陽極鍵合材料表面性能的影響[J].科學(xué)技術(shù)與工程,2017,17(16):187—190Fang Zhili,Pan Mingqiang,Li Zhengchao,et al.Effect of dielectric b，

本文編號(hào)：1390967