【摘要】：21世紀(jì)以來,隨著移動(dòng)通訊和網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,現(xiàn)代社會人們的生活方式逐步加速向智能化和網(wǎng)絡(luò)化轉(zhuǎn)變。作為移動(dòng)通訊和電子信息產(chǎn)業(yè)的核心載體——半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)正在變成全球發(fā)展速度最快、對國家和地區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展貢獻(xiàn)最多并深刻影響著人類社會進(jìn)步的產(chǎn)業(yè)之一。作為半導(dǎo)體家族的一個(gè)重要組成部分和分支,化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近年來在5G通訊、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等下游新興產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)下正呈現(xiàn)著快速崛起的態(tài)勢。化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平不僅深刻影響一個(gè)國家和地區(qū)的經(jīng)濟(jì)發(fā)展和技術(shù)革新,而且在國家信息安全方面也具有著重要的戰(zhàn)略意義。本文以我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展作為研究對象,運(yùn)用產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略管理相關(guān)理論對該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進(jìn)行研究。通過產(chǎn)業(yè)生命周期理論、產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈和SWOT方法等戰(zhàn)略管理方法,研究該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景、價(jià)值分布、競爭格局、產(chǎn)業(yè)演化。以產(chǎn)品市場前景和產(chǎn)業(yè)價(jià)值分布作為切入點(diǎn),首先通過對化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上各環(huán)節(jié)的價(jià)值縱向分布,以及全球范圍內(nèi)空間布局研究;其次從產(chǎn)業(yè)周期演化的角度對產(chǎn)業(yè)進(jìn)行動(dòng)態(tài)研究;再次運(yùn)用SWOT分析方法對產(chǎn)業(yè)內(nèi)外部環(huán)境進(jìn)行靜態(tài)剖析,從而對我國該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進(jìn)行全面和深入的研究。最后在基于上述戰(zhàn)略管理理論研究的基礎(chǔ)上提出我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級的一些建議。通過介紹化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀以及價(jià)值鏈分析,本文認(rèn)為化合物半導(dǎo)體是一個(gè)價(jià)值含量較高的產(chǎn)業(yè)。站在產(chǎn)業(yè)鏈縱向的角度看,其價(jià)值含量最高的環(huán)節(jié)是具有資金密集和技術(shù)密集型的上游外延和芯片環(huán)節(jié);站在全球價(jià)值鏈空間分布的角度看,歐美國家從該產(chǎn)業(yè)獲得價(jià)值最高。通過運(yùn)用產(chǎn)業(yè)生命周期理論對化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)演化進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析,本文認(rèn)為目前的全球的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展處于產(chǎn)業(yè)生命周期演化的快速成長期。我國該產(chǎn)業(yè)發(fā)展仍處于萌芽期至成長期,距離國際產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平有一定的差距,需要通過產(chǎn)業(yè)升級促進(jìn)該產(chǎn)業(yè)盡快發(fā)展到快速成長期。結(jié)合SWOT方法分析了我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的內(nèi)外部環(huán)境,找出我國該產(chǎn)業(yè)發(fā)展暫時(shí)落后的原因以及所面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。目前制約我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級的重要因素有產(chǎn)業(yè)規(guī)模較小、專業(yè)人才缺乏和核心技術(shù)缺乏幾個(gè)方面。針對我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級的思路和策略,本文認(rèn)為該產(chǎn)業(yè)急需成長到產(chǎn)業(yè)生命周期中的快速發(fā)展期,并且盡可能占據(jù)該產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈中價(jià)值含量最高的上游外延和芯片環(huán)節(jié)而非下游組裝環(huán)節(jié)。可以通過企業(yè)研發(fā)、政府支持、資源整合等多個(gè)手段來實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)。本文主要貢獻(xiàn)在于:運(yùn)用產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略研究中產(chǎn)業(yè)生命周期理論結(jié)合價(jià)值鏈模型和SWOT分析方法對我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)行了深入細(xì)致的研究,并就產(chǎn)業(yè)升級提出了建設(shè)性的意見。抓住國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和下游市場快速發(fā)展的機(jī)會,克服我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在規(guī)模、人才和核心技術(shù)上的不足,快速實(shí)現(xiàn)我國該產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級。
【學(xué)位授予單位】：西南財(cái)經(jīng)大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號】：F426.6
【圖文】：

國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略研究可以說半導(dǎo)體集成電路芯片是現(xiàn)代文明社會最強(qiáng)有力的發(fā)動(dòng)機(jī)，或稱為信息工業(yè)的石油也毫不為過。未來的社會，芯片產(chǎn)業(yè)對一個(gè)國家性相當(dāng)于十幾年前能源對我們的重要性。由于高度的科技集成度和巨金需求，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)屬于高度的科技密集型和資金密集型產(chǎn)業(yè)。其制每一個(gè)環(huán)節(jié)，尤其是晶圓制造部分，每一種機(jī)器設(shè)備，每一個(gè)零部件種高純化學(xué)原材料都要求達(dá)到到人類科技水平的極限。對外貿(mào)易方面，半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)口金額已經(jīng)超過石油成為我國第一產(chǎn)品。據(jù)海關(guān)總署數(shù)據(jù)顯示，截至 2017 年底，中國半導(dǎo)體集成電路進(jìn)已高達(dá) 2601.2 億美元，同比大幅度上漲 14.6%。同期，中國原油進(jìn)口 1623.3 億美元，可以看出我國芯片進(jìn)口金額遠(yuǎn)超原油①。

我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略研究再次，運(yùn)用 SWOT 分析方法，產(chǎn)業(yè)生命周期理論等戰(zhàn)略管理理論和分析方法對化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行動(dòng)態(tài)發(fā)展演化和內(nèi)外部環(huán)境的分析。最后，本文在基于戰(zhàn)略研究理論基礎(chǔ)上提出我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的升級思路和升級策略。1.2.2 研究框架

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 王迅;;化合物半導(dǎo)體會議述評[J];國際學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài);1996年03期

2 ;蘭溪首個(gè)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目正式投產(chǎn)[J];半導(dǎo)體信息;2019年06期

3 朱邵歆;;我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來5G機(jī)遇[J];高科技與產(chǎn)業(yè)化;2017年10期

4 ;射頻/功率/光源應(yīng)用需求增加 化合物半導(dǎo)體前途無可限量[J];半導(dǎo)體信息;2017年01期

5 ;中國發(fā)展化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正當(dāng)時(shí)[J];半導(dǎo)體信息;2016年04期

6 馬莉雅;;化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品發(fā)展反映市場多樣化[J];半導(dǎo)體信息;2011年06期

7 陳裕權(quán);;化合物半導(dǎo)體MMIC市場廣博[J];半導(dǎo)體信息;2008年03期

8 李松法;;銻基化合物半導(dǎo)體集成電路[J];中國電子科學(xué)研究院學(xué)報(bào);2007年04期

9 孫再吉;;化合物半導(dǎo)體市場將每年增長22％[J];半導(dǎo)體信息;2003年03期

10 金禾;迎接后硅時(shí)代涌動(dòng)化合物半導(dǎo)體[J];電子產(chǎn)品世界;2002年19期

相關(guān)會議論文 前10條

1 趙毅;;特種氣體在LED中的應(yīng)用和發(fā)展[A];LED產(chǎn)業(yè)及其材料技術(shù)市場高層論壇論文集[C];2010年

2 吳燕慶;;低維高性能化合物半導(dǎo)體器件[A];第八屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議摘要[C];2013年

3 陸大成;段樹坤;;金屬有機(jī)化合物氣相外延及其應(yīng)用[A];第十一屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議論文集[C];2010年

4 劉柯釗;;化合物半導(dǎo)體表面金屬原子鏈的形成及生長機(jī)理[A];中國工程物理研究院科技年報(bào)（2001）[C];2001年

5 閆涵;楊學(xué)澤;楊博文;陳鴻雁;張紫輝;;“河北工業(yè)大學(xué)—Crosslight化合物半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”舉行揭牌儀式[A];對接京津——改革開放 豐碑偉業(yè)論文集[C];2018年

6 李長榮;張維敬;杜振民;李靜波;;Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體MOVPE生長過程熱力學(xué)分析[A];第十二屆全國相圖學(xué)術(shù)會議論文集[C];2004年

7 殷之義;顧錦模;曹令嫻;滕志義;吳汶海;;P型PbSe單晶的低溫電阻率[A];上海制冷學(xué)會一九八九年年會論文集[C];1989年

8 介萬奇;李宇杰;;Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體中的晶體缺陷及其控制[A];第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集Ⅰ[C];2004年

9 丁洪林;張秀風(fēng);張萬昌;;化合物半導(dǎo)體探測器的發(fā)展、現(xiàn)狀及其應(yīng)用[A];第7屆全國核電子學(xué)與核探測技術(shù)學(xué)術(shù)年會論文集（一）[C];1994年

10 李衛(wèi);楊曜源;丁進(jìn);劉瑩沙;方珍意;;硒化鋅單晶的應(yīng)用及制備技術(shù)[A];中國硅酸鹽學(xué)會2003年學(xué)術(shù)年會論文摘要集[C];2003年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前10條

1 記者 袁錚;河北科光化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)項(xiàng)目落戶滄州[N];滄州日報(bào);2018年

2 中泰證券電子分析師 胡楊;三安光電化合物半導(dǎo)體進(jìn)展順利[N];證券時(shí)報(bào);2018年

3 中國信息通信研究院信息化與工業(yè)化融合研究所 邸紹巖;化合物半導(dǎo)體技術(shù)的最新應(yīng)用[N];人民郵電;2018年

4 工信部賽迪智庫集成電路研究所 朱邵歆;5G能否成化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破口[N];中國電子報(bào);2017年

5 賽迪智庫集成電路產(chǎn)業(yè)研究所 朱邵歆;我國發(fā)展化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正當(dāng)時(shí)[N];中國電子報(bào);2016年

6 光明;全球最大國內(nèi)惟一化合物半導(dǎo)體基地深圳投產(chǎn)[N];消費(fèi)日報(bào);2009年

7 本報(bào)記者 張海志;深圳打造全球最大化合物半導(dǎo)體基地[N];中國知識產(chǎn)權(quán)報(bào);2007年

8 西安微電子研究所 謝永桂;加速發(fā)展我國化合物半導(dǎo)體技術(shù)[N];中國電子報(bào);2001年

9 記者 張嬌嬌 杭衛(wèi)東;化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目在寧簽約[N];淮安日報(bào);2013年

10 童梅;化合物半導(dǎo)體新技術(shù)不斷涌現(xiàn)[N];人民郵電;2009年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前7條

1 李科學(xué);過渡金屬氧族化合物半導(dǎo)體的光電特性研究[D];中國科學(xué)院研究生院(長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所);2016年

2 韓冬;化合物半導(dǎo)體缺陷物理及表面激發(fā)態(tài)動(dòng)力學(xué)的第一性原理研究[D];吉林大學(xué);2014年

3 俞嬌仙;化合物半導(dǎo)體的微結(jié)構(gòu)調(diào)控及其光催化、氣敏性能的研究[D];山東大學(xué);2011年

4 薛俊俊;高In組分InGaN化合物半導(dǎo)體的生長與表征[D];南京大學(xué);2014年

5 莊仲濱;硫?qū)倩衔锇雽?dǎo)體納米材料的調(diào)控合成、組裝與性能研究[D];清華大學(xué);2010年

6 張鈞君;金屬氧族化合物半導(dǎo)體一維納米材料的可控制備及性能研究[D];合肥工業(yè)大學(xué);2014年

7 吳翟;硫?qū)倩衔锇雽?dǎo)體一維納米結(jié)構(gòu)的可控?fù)诫s及其光電子器件研究[D];合肥工業(yè)大學(xué);2013年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前6條

1 楊鐘;我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略研究[D];西南財(cái)經(jīng)大學(xué);2018年

2 余家新;Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體輸運(yùn)性質(zhì)的蒙特卡羅模擬[D];北京交通大學(xué);2007年

3 趙響;Cu_2ZnSnS_4四元化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的理論研究[D];昆明理工大學(xué);2016年

4 康云松;纖鋅礦結(jié)構(gòu)Ⅱ-Ⅵ族Zn化合物半導(dǎo)體晶格動(dòng)力學(xué)和熱力學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究[D];內(nèi)蒙古大學(xué);2012年

5 彭鵬;GaAs基HBT材料的外延生長及其特性研究[D];中國科學(xué)院上海冶金研究所;2000年

6 高德友;碲鋅鎘單晶體的生長及其性能測定[D];四川大學(xué);2003年

本文編號：2727287