金摻雜碳納米管薄膜的制備及電學性能研究
本文關鍵詞:金摻雜碳納米管薄膜的制備及電學性能研究
【摘要】:采用浮動催化劑化學氣相沉積法制備了碳納米管薄膜。通過在碳納米管薄膜表面負載1層厚度為5nm的金,進而利用王水蒸汽進行摻雜,CNT薄膜的導電性得到了很大提高(提高幅度達100%~400%);摻雜后的碳納米管薄膜在空氣下經過較長時間放置后,同初始狀態(tài)相比,導電性仍然能保持在200%以上的增幅,表現(xiàn)了很好的電學穩(wěn)定性。
【作者單位】: 北京大學工學院;
【關鍵詞】: 納米材料與技術 碳納米管 透明導電薄膜 金
【基金】:高等學校博士學科點專項科研基金資助項目(20120001110076)
【分類號】:TB383.2
【正文快照】: 透明導電薄膜是一種具有較高透光率和導電性的薄膜材料,廣泛應用于觸摸屏、太陽電池和液晶顯示器等領域。現(xiàn)在最為常用的透明導電薄膜是一些金屬氧化物,包括氧化銦錫(ITO)、氟摻雜氧化錫和摻雜氧化鋅等[1],其中ITO是應用較為廣泛的透明導電薄膜材料。ITO具有優(yōu)異的導電性和透
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,本文編號:966933
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