本文關(guān)鍵詞：襯底溫度對氫離子束輔助磁控濺射制備a-Si∶H薄膜結(jié)構(gòu)特性的影響

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【摘要】：利用氫離子束輔助磁控濺射制備氫化非晶硅薄膜(a-Si∶H),借助拉曼光譜儀、紅外光譜儀和橢圓偏振光譜儀等分析測試手段,研究襯底溫度對a-Si∶H薄膜結(jié)構(gòu)特性影響規(guī)律。結(jié)果表明在合適的襯底溫度下氫離子束輔助磁控濺射制備的a-Si∶H薄膜具有較好短程有序度和中程有序度;當襯底溫度為200℃時,薄膜的結(jié)構(gòu)特性最優(yōu),a-Si∶H薄膜的次帶吸收系數(shù)為0.46 cm~(-1)、氫含量為10.36%(原子比)、微結(jié)構(gòu)因子為0.68和光學(xué)帶隙為1.94 e V。
【作者單位】： 化學(xué)與材料工程系合肥學(xué)院;中國科學(xué)院中國科學(xué)院能量轉(zhuǎn)換材料重點實驗室;合肥樂凱科技產(chǎn)業(yè)有限公司;賀州學(xué)院化學(xué)與生物工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 離子束輔助濺射 非晶硅薄膜 結(jié)構(gòu)性能 襯底溫度
【基金】：安徽省教育廳一般項目(KJ2015B1105905和KJ2015B1105906) 中國科學(xué)院能量轉(zhuǎn)換材料重點實驗室開放課題基金(KF2016001) 大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)項目(201511059023)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： 非晶硅薄膜(a-Si)中Si-Si鍵雖然基本上保持sp3鍵結(jié)構(gòu),但a-Si中Si-Si鍵的鍵長和鍵角略有變化,并且薄膜中含有大量硅懸鍵,嚴重制約a-Si薄膜的應(yīng)用。為鈍化懸鍵,減少薄膜的缺陷態(tài)密度,提高a-Si有序結(jié)構(gòu)。目前采用氫鈍化非晶硅薄膜(a-Si∶H)以降低薄膜缺陷態(tài)密度[1]。目前制備a-Si

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