發(fā)布時間：2017-09-11 12:18

  本文關(guān)鍵詞：能量密度和重復(fù)頻率對PLD法制備ZnS薄膜性質(zhì)的影響

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【摘要】：利用脈沖激光沉積法在玻璃基片上、以不同的能量密度和重復(fù)頻率制備了一系列ZnS薄膜。利用X射線衍射、X射線能量色散譜、紫外-可見-近紅外分光光度計,對ZnS薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)組分、光學(xué)特性等進行表征。結(jié)果表明:所制備ZnS薄膜為富硫貧鋅,結(jié)晶質(zhì)量良好,為(002)晶面擇優(yōu)取向生長。能量密度為7.5 J/cm~2、重復(fù)頻率為2 Hz是生長高質(zhì)量ZnS薄膜的條件,其所制備的ZnS薄膜為纖鋅礦結(jié)構(gòu),結(jié)晶程度最高,擇優(yōu)取向度最高(189.2),Zn/S摩爾比值接近化學(xué)計量比,堆積密度最大(0.967),可見光透過率高,禁帶寬度為3.55 eV。
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： ZnS薄膜 脈沖激光沉積 能量密度 重復(fù)頻率 擇優(yōu)取向 透過率
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(No.51272061)
【分類號】：TN304.2;O484.4
【正文快照】： Zn S是II-VI族寬禁帶半導(dǎo)體,其禁帶寬度為3.7制備Zn S薄膜的方法主要有熱蒸發(fā)法[4]、電子束e V[1],有閃鋅礦和纖鋅礦兩種結(jié)構(gòu)[2],具有較高的可蒸發(fā)法[5]、化學(xué)水浴法[6]、噴霧熱解法[7]、濺射法[8-9]、見光透過率和良好的光電性能,在短波長光電子器分子束外延法[10]和脈沖激光

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4 尹W，

本文編號：830672