本文關(guān)鍵詞：國(guó)內(nèi)外磁控濺射靶材的研究進(jìn)展

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【摘要】：磁控濺射以濺射溫度低、沉積速率高的特點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于各種薄膜制造中,如單層或復(fù)合薄膜、磁性或超導(dǎo)薄膜以及有一定用途的功能性薄膜等,在科學(xué)領(lǐng)域以及工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著不可替代的作用。在介紹磁控濺射原理的基礎(chǔ)上,闡述了靶材刻蝕機(jī)理,針對(duì)傳統(tǒng)磁控濺射系統(tǒng)中靶材利用率低、刻蝕形貌不均勻等現(xiàn)狀,從改善靶面磁場(chǎng)分布和模擬靶材刻蝕形貌兩方面對(duì)國(guó)內(nèi)外最新的研究進(jìn)展進(jìn)行總結(jié)與分析。研究表明,通過(guò)改變磁體的空間布置或增加導(dǎo)磁片能有效改善靶面磁場(chǎng)分布,采用適當(dāng)?shù)倪\(yùn)動(dòng)部件實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)和靶材的相對(duì)運(yùn)動(dòng)能有效擴(kuò)展靶材的濺射面積,提高靶材利用率。在靶材刻蝕模擬中,通過(guò)改變?yōu)R射過(guò)程中的工藝條件(磁場(chǎng)強(qiáng)度、工作電壓等)來(lái)研究靶面等離子特性,結(jié)果顯示靶材刻蝕形貌會(huì)隨著磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加而變窄,靶材刻蝕速率會(huì)隨工作電壓的增大而增大等,這些研究成果對(duì)磁控濺射工藝參數(shù)的優(yōu)化具有指導(dǎo)意義。最后,對(duì)靶材冷卻系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、靶材表面處理等對(duì)濺射過(guò)程的影響進(jìn)行了簡(jiǎn)要展望。
【作者單位】： 陜西科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 磁控濺射 靶材刻蝕 結(jié)構(gòu)優(yōu)化 計(jì)算機(jī)模擬 等離子體特性 靶材冷卻
【分類號(hào)】：TB43
【正文快照】： Received:2016-03-31;Revised:2016-04-04濺射鍍膜是用荷能粒子轟擊固體靶材,使靶材原子濺射出來(lái)并沉積到基體表面形成薄膜的鍍膜技術(shù)[1]。1852年Grove在實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)了陰極濺射現(xiàn)象,被公認(rèn)為是真空濺射鍍膜的開始。從目前來(lái)看,磁控濺射技術(shù)的發(fā)展前景十分可觀,靶材溫升慢、沉積

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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6 張龍;朱健;吳t，

本文編號(hào)：829474