本文關鍵詞：摻硼質量濃度對BDD電極電化學特性的影響

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【摘要】：摻硼金剛石(BDD)薄膜電極析氧電位高、背景電流小、耐腐蝕的特性,使其在電化學應用方面受到廣泛關注。采用熱絲化學氣相沉積(HFCVD)系統(tǒng),在鉭基底上制備了不同摻硼質量濃度的金剛石薄膜電極,通過掃描電子顯微鏡(SEM)分析了薄膜表面形貌,利用循環(huán)伏安法研究了電極的電化學特性。結果表明:摻硼質量濃度為2 g/L時,制備的薄膜電極質量最好,晶粒尺寸最大,電勢窗口達到3.99 V;繼續(xù)增大摻硼質量濃度,粒徑減小,薄膜質量變差,電勢窗口逐漸減小。BDD電極在酸、鹽、堿性溶液中的析氧電位分別為2.11,1.82和0.86 V,呈遞減趨勢。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學電子信息工程學院;天津市電子材料與器件重點實驗室;
【關鍵詞】： 摻硼金剛石電極 電勢窗口 析氧電位 摻硼質量濃度 熱絲化學氣相沉積(HFCVD)
【基金】：國家科技重大專項資助項目(2009ZX02308,2014ZX02301003) 河北省博士后擇優(yōu)資助項目(B2015003010)
【分類號】：TB383.2;O646
【正文快照】： 2.天津市電子材料與器件重點實驗室,天津300130)0引言金剛石特殊的晶體結構決定了它具有諸多優(yōu)異的物理化學性質,其在電學、光學、聲學、熱學以及電化學方面的應用受到廣泛關注[1],因此,越來越多的科研工作者致力于金剛石薄膜的研究。熱絲化學氣相沉積(hot filament chemical

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本文編號：826737