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氫退火對LPCVD生長的ZnO薄膜光學(xué)和電學(xué)性能的影響

發(fā)布時間:2017-07-20 14:25

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  更多相關(guān)文章: 低壓化學(xué)氣相沉積 ZnO薄膜 光學(xué)性能 載流子濃度 霍爾遷移率


【摘要】:采用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)在玻璃襯底上制備了B摻雜ZnO(BZO)薄膜,研究了氫氣氣氛退火對BZO薄膜光學(xué)性能和電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:在氫氣氣氛下退火后,BZO薄膜的物相結(jié)構(gòu)和透光率基本無變化,但BZO薄膜的導(dǎo)電能力卻明顯提高。Hall測試結(jié)果表明:在氫氣下退火時載流子濃度基本保持不變,但遷移率卻明顯提高。實(shí)驗結(jié)果可為進(jìn)一步提高BZO薄膜的光學(xué)電學(xué)綜合性能提供借鑒。
【作者單位】: 江西科技學(xué)院協(xié)同創(chuàng)新中心;江西科技學(xué)院管理學(xué)院;浙江正泰太陽能科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】低壓化學(xué)氣相沉積 ZnO薄膜 光學(xué)性能 載流子濃度 霍爾遷移率
【基金】:江西科技學(xué)院博士科研啟動基金 “863”國家高技術(shù)發(fā)展計劃(2012AA052401) 國家自然科學(xué)基金(21571095)資助項目
【分類號】:O484
【正文快照】: 1引言近年來,透明導(dǎo)電氧化物(TCO)作為透明電極在薄膜太陽能電池[1-3]、異質(zhì)結(jié)太陽能電池[4]、染料敏化太陽能電池[5]及有機(jī)太陽能電池[6]中得到了廣泛研究和應(yīng)用,并為薄膜太陽能電池成本降低及市場推廣發(fā)揮了重要作用。作為電極窗口材料,TCO必須具有高的導(dǎo)電能力,以保證光生

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前7條

1 翟冬青,李洪鑫,李彥波;LPCVD半絕緣多晶硅的性質(zhì)和應(yīng)用研究[J];河北大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);1984年02期

2 程開富;熱壁LPCVD多晶硅膜的質(zhì)量分析[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;1998年04期

3 傅廣生,李曉葦,韓理,張連水,董麗芳,呂福潤,薛春銀;OLD診斷SiH_4的LPCVD動力學(xué)過程[J];量子電子學(xué);1987年01期

4 傅廣生,董麗芳,李曉葦,韓理,張連水,呂福潤;TEA CO_2激光誘發(fā)SiH_4等離子體發(fā)光動力學(xué)研究[J];半導(dǎo)體學(xué)報;1990年03期

5 王季陶;低壓化學(xué)蒸汽淀積(LPCVD)的計算機(jī)模擬通式[J];自然雜志;1981年01期

6 程萍;張玉明;郭輝;張義門;廖宇龍;;LPCVD法制備的高純半絕緣4H-SiC晶體ESR譜特性[J];物理學(xué)報;2009年06期

7 ;[J];;年期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 胡淑芬;;LPCVD in-situ Growth of Silicon Quantum Dots in Si_3N_4[A];中國顆粒學(xué)會第七屆學(xué)術(shù)年會暨海峽兩岸顆粒技術(shù)研討會論文集[C];2010年

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本文編號:568505

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