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碳納米管薄膜場蒸發(fā)效應(yīng)

發(fā)布時間:2017-07-16 11:26

  本文關(guān)鍵詞:碳納米管薄膜場蒸發(fā)效應(yīng)


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【摘要】:在超高真空系統(tǒng)中對基于絲網(wǎng)印刷方法制備的碳納米管薄膜的場蒸發(fā)效應(yīng)進(jìn)行實驗研究.實驗發(fā)現(xiàn),碳納米管薄膜樣品存在場蒸發(fā)現(xiàn)象,蒸發(fā)閾值場在10.0—12.6 V/nm之間,蒸發(fā)離子流可以達(dá)到百皮安量級;掃描電子顯微鏡分析和場致電子發(fā)射測量結(jié)果表明,場蒸發(fā)會使碳納米管分布變得更加不均勻,會導(dǎo)致薄膜的場致電子發(fā)射開啟電壓上升(240→300 V)、場增強因子下降(8300→4200)、蒸發(fā)閾值場上升(10→12.6 V/nm),同時使得薄膜場致電子發(fā)射的可重復(fù)性明顯變好.場蒸發(fā)也是薄膜自身電場一致性修復(fù)的表現(xiàn),這種修復(fù)并非表現(xiàn)在形貌上,而是不同區(qū)域場增強因子之間的差距會越來越小,這樣薄膜場致電子發(fā)射的可重復(fù)性和穩(wěn)定性自然會得到改善.
【作者單位】: 蘭州大學(xué)核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;中國工程物理研究院電子工程研究所;東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】碳納米管 場蒸發(fā) 場致電子發(fā)射 場增強因子
【基金】:國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:11375155,11375077)資助的課題~~
【分類號】:TB383.1;TB383.2
【正文快照】: 1引言自1991年日本NEC的Iijima觀察到碳納米管以來[1],因其特殊的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)[2,3]和優(yōu)異的力學(xué)[4]、電學(xué)[5]、光學(xué)[6,7]、熱學(xué)[8]及生化性能[9],使得碳納米管在微納機電系統(tǒng)等領(lǐng)域有著非常廣闊的應(yīng)用前景,如:氣體傳感器[10 12]、場電離源[13 16],電極材料[17,18]、儲氫材料[19 2

【相似文獻(xiàn)】

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5 王凱;基于碳納米管薄膜的傳感器件制備及其氣體敏感特性研究[D];中國石油大學(xué)(華東);2013年

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8 杜招紅;鋁基定向碳納米管薄膜的制備及應(yīng)用[D];南昌大學(xué);2008年

9 郭敏;碳納米管薄膜的浸漬-吸附方法制備[D];天津大學(xué);2009年

10 方建放;碳納米管薄膜場致發(fā)射性能研究[D];東華大學(xué);2010年

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