發(fā)布時(shí)間：2017-07-16 10:06

  本文關(guān)鍵詞：濺射時(shí)間對(duì)GZO薄膜光電性能的影響

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【摘要】：采用射頻磁控濺射法在普通玻璃襯底上制備了Ga_2O_3含量為3wt.%的摻鎵氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜(GZO)。通過(guò)X射線衍射儀(XRD)、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)、四探針測(cè)試儀、臺(tái)階儀、UV-Vis-NIR3600型紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)研究了濺射時(shí)間對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)、表面形貌及光電性能的影響。結(jié)果表明,濺射時(shí)間為40 min時(shí)制備的GZO薄膜的光電綜合性能最好,可見(jiàn)光區(qū)透過(guò)率峰值86%,方阻為16.4Ω/□,電阻率為1.18×10-3Ω·cm,性能指數(shù)ΦTC為4.73×10~(-3)Ω-1;隨著濺射時(shí)間增加,薄膜光學(xué)帶系從3.69 e V減少到3.56 e V。在濺射時(shí)間60 min時(shí)結(jié)晶度最高,方塊電阻為9.0Ω/□,電阻率最低為9.7×10-4Ω·cm,可見(jiàn)光透過(guò)率峰值為81%。
【作者單位】： 武漢理工大學(xué)硅酸鹽建筑材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;江蘇秀強(qiáng)玻璃工藝股份有限公司;
【關(guān)鍵詞】： GZO薄膜 濺射時(shí)間 光電性能 射頻磁控濺射
【基金】：湖北省重大科技創(chuàng)新計(jì)劃項(xiàng)目(2013AAA005)
【分類(lèi)號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： 1引言透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜具有良好的導(dǎo)電性和高的可見(jiàn)光區(qū)透過(guò)率,在許多領(lǐng)域有著非常廣闊的應(yīng)用,如液晶顯示、觸摸屏、薄膜太陽(yáng)能電池等。TCO還具有在近紅外區(qū)高反射、紫外區(qū)高吸收及對(duì)微波衰減性較強(qiáng)等特點(diǎn),故常應(yīng)用于紅外隱身材料、建筑玻璃隔熱膜、電磁屏蔽和防靜電膜

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1 樊子銘;射頻磁控濺射非晶Al_2O_3薄膜制備與性能研究[D];遼寧科技大學(xué);2014年

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本文編號(hào)：548139