發(fā)布時(shí)間：2017-07-14 11:20

  本文關(guān)鍵詞：射頻磁控濺射法制備SnS薄膜及其結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性

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【摘要】：利用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上沉積SnS薄膜并對(duì)其進(jìn)行快速退火處理,利用X射線衍射(XRD)、拉曼光譜(Raman)、X射線能量色散譜(EDS)、原子力顯微鏡(AFM)和紫外-可見(jiàn)-近紅外(UV-Vis-NIR)分光光度計(jì)研究了不同濺射功率(60~120 W)條件下制備的SnS薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、物相組成、化學(xué)組分、表面形貌以及有關(guān)光學(xué)特性。結(jié)果表明:經(jīng)快速退火的薄膜均已結(jié)晶,提高濺射功率有利于改善薄膜的結(jié)晶質(zhì)量、生長(zhǎng)擇優(yōu)取向程度和化學(xué)配比,薄膜的平均顆粒尺寸呈增大趨勢(shì);濺射功率為100 W的薄膜樣品的結(jié)晶質(zhì)量和擇優(yōu)取向度高,薄膜應(yīng)變最小,且為純相SnS薄膜,Sn/S組分的量比為1∶1.09,吸收系數(shù)達(dá)10~5cm~(-1)量級(jí),直接禁帶寬度為1.54 eV。
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院;合肥工業(yè)大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： SnS薄膜 射頻磁控濺射 快速退火 晶體結(jié)構(gòu) 光學(xué)特性
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51272061)資助項(xiàng)目
【分類(lèi)號(hào)】：TQ134.32;TB383.2
【正文快照】： 1引言近年來(lái),許多金屬硫化物已成為新型太陽(yáng)能電池的光吸收材料,而其中二元錫硫化合物Sn S備受關(guān)注。Sn S具有諸多優(yōu)點(diǎn),如化學(xué)組成簡(jiǎn)單、原料來(lái)源豐富且無(wú)毒[1-2]、直接禁帶寬度(1.3~1.5 e V[3])接近太陽(yáng)能電池的最佳禁帶寬度(1.5e V)、理論轉(zhuǎn)換效率高達(dá)25%[4]、在可見(jiàn)光范圍

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 劉玉杰;胡艷;楊程;葉迎華;沈瑞琪;李創(chuàng)新;;射頻磁控濺射法制備硼薄膜[J];火工品;2013年01期

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本文編號(hào)：540895