本文關(guān)鍵詞：3ω法測量鈦酸鋇薄膜的熱導(dǎo)率

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【摘要】：電子設(shè)備小型化帶來的熱效應(yīng)問題,使得提高薄膜材料熱導(dǎo)率和降低薄膜與基底的界面熱阻成為提高薄膜器件可靠性的關(guān)鍵因素,因此測量薄膜器件熱性能成為了電子工業(yè)中愈發(fā)重要的課題。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鈦酸鋇作為一種高介電常數(shù)材料,在電子工業(yè)中被廣泛使用。通過建立一套3ω法測試系統(tǒng),測試了使用高分子輔助沉積法在SiO_2薄膜上沉積的鈦酸鋇薄膜樣品的熱導(dǎo)率,并通過不同厚度薄膜熱阻與熱導(dǎo)率的關(guān)系,計算出鈦酸鋇薄膜的熱導(dǎo)率為5.63 W/mK,鈦酸鋇與SiO_2的界面熱阻為2.13×10~(-8)m~2W/K。
【作者單位】： 電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家重點實驗室;東莞電子科技大學(xué)電子信息工程研究院;
【關(guān)鍵詞】： ω法 鈦酸鋇 熱導(dǎo)率 界面熱阻
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(51372034) 廣東省創(chuàng)新團隊(201001D0104713329)
【分類號】：O484.4
【正文快照】： 1前言 鈦酸鋇(Barium Titanate)是一種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的無機化合物,熔點為1618℃,擁有高介電常數(shù)和低介電損耗的優(yōu)良特性,是一種在電子陶瓷工業(yè)中被廣泛使用的材料。 其晶體結(jié)構(gòu)在不同溫度下表現(xiàn)出不同的形式。鈦酸鋇晶體的相變是由于鈦離子相對氧陰離子在晶格中位置的變化造成

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本文編號：529293