采用電化學(xué)方法制備了鉭電解電容器陽(yáng)極.通過(guò)場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡和理論分析對(duì)鉭陽(yáng)極斷面的曲面結(jié)構(gòu)特征及其形成機(jī)理進(jìn)行了研究.研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)Ta/Ta₂O₅的薄膜曲界面存在間隙層(<1nm),該間隙層為氧空位及其缺陷離子遷移所致;曲面結(jié)構(gòu)的應(yīng)力模型表明曲面薄膜界面的電化學(xué)生長(zhǎng)過(guò)程生產(chǎn)缺陷濃度高于平面系統(tǒng),討論了鉭電解電容器曲面薄膜的形成過(guò)程對(duì)電場(chǎng)應(yīng)力畸變屏蔽的機(jī)理.

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【文章目錄】：
1 前言
2 實(shí)驗(yàn)部分
3 結(jié)果與討論
    3.1 薄膜斷面形貌及簡(jiǎn)化模型
    3.2 曲面薄膜生長(zhǎng)電化學(xué)過(guò)程
    3.3 曲面應(yīng)力與缺陷模型
4 結(jié)論



本文編號(hào)：3815695