基于力學參數(shù)模型研究了NFO/BTO層狀復合薄膜的磁電效應,發(fā)現(xiàn)當壓電相的體積分數(shù)約為0. 47時,磁電耦合性能最好。通過脈沖激光沉積法在摻0. 7%Nb的(001)-STO襯底上生長了不同體積分數(shù)比的2-2型NFO/BCZT異質結構的磁電復合薄膜。XRD結果表明:NFO/BCZT磁電復合薄膜均為(00l)擇優(yōu)取向生長結構。通過鎖相技術測試了NFO/BCZT復合薄膜的磁電耦合系數(shù),測試結果表明壓電相體積稍大于鐵磁層體積時,磁電性能最佳。實驗結果與理論結果存在一定差異,主要是由于材料實際參數(shù)與計算所用參數(shù)有差異、界面的非理想耦合無法得到準確的k值以及復合薄膜微觀結構、應力等影響。

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【文章目錄】：
0 引言
1 理論計算及分析
    1.1 理論模型
    1.2 計算結果及分析
2 實驗過程及結果分析
    2.1 實驗過程
    2.2 實驗結果及分析
3 結論



本文編號：3748204