近年來,由于鈷薄膜具有優(yōu)良的物理化學(xué)性能如低電阻率、高磁各向異性、高催化活性等引起人們的廣泛關(guān)注。在集成電路領(lǐng)域,基于鈷優(yōu)異的低電阻率特性,鈷可以替代銅成為新一代半導(dǎo)體導(dǎo)線材料,在10 nm、7 nm,甚至在5 nm、3 nm芯片制造工藝下作為互連導(dǎo)線,可以提升導(dǎo)電性、降低功耗并大幅減小芯片體積,使芯片效能更高。目前已經(jīng)有許多制備鈷金屬薄膜的研究,本文重點介紹利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)、熱原子層沉積技術(shù)以及等離子體輔助原子層沉積技術(shù)制備鈷薄膜的研究現(xiàn)狀,討論各種制備方法的優(yōu)劣,對所使用的前驅(qū)體做了總結(jié),并展望了發(fā)展趨勢。

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 磁控濺射技術(shù)制備鈷薄膜
2 化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備鈷薄膜
3 原子層沉積技術(shù)制備鈷薄膜
5 結(jié)論與展望



本文編號：3740461