采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù),以SiH₄、CH₄和H₂為反應(yīng)氣體,在單晶硅和石英襯底上制備a-Si∶H/a-SiC∶H多層薄膜。利用透射電子顯微鏡（TEM）對(duì)樣品的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,同時(shí)對(duì)其電子輸運(yùn)性質(zhì)和光吸收特性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。結(jié)果表明,本實(shí)驗(yàn)條件下制備的多層薄膜樣品為非晶態(tài)多層薄膜結(jié)構(gòu),并且樣品具有良好的周期性結(jié)構(gòu)和陡峭的界面特性。室溫條件下,樣品在垂直方向上呈現(xiàn)出多勢(shì)壘順序共振隧穿特性。由于量子限制效應(yīng),當(dāng)a-Si∶H勢(shì)阱層厚度<8nm,隨著勢(shì)阱層厚度減小,樣品的光學(xué)帶隙增大,光吸收系數(shù)減小。 

【文章來源】：功能材料. 2016,47(10)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
    2.1 微結(jié)構(gòu)表征
    2.2 載流子輸運(yùn)特性
    2.3 光吸收特性
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]nc-Si:H/α-SiC:H多層膜的結(jié)構(gòu)與光吸收特性[J]. 馬蕾,蔣冰,陳乙豪,沈波,彭英才.  物理學(xué)報(bào). 2014(13)
[2]The charge storage characteristics of ZrO2 nanocrystallite-based charge trap nonvolatile memory[J]. 湯振杰,李榮,殷江.  Chinese Physics B. 2013(06)
[3]Substrate-induced stress in silicon nanocrystal/SiO2 multilayer structures[J]. 陶也了,左玉華,鄭軍,薛春來,成步文,王啟明,徐駿.  Chinese Physics B. 2012(07)



本文編號(hào)：3469534