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低能氨離子/基團擴散對銦錫氧化物薄膜電學性質(zhì)的影響規(guī)律

發(fā)布時間:2021-10-25 05:22
  有機-無機雜化甲氨鉛碘類鈣鈦礦太陽能電池在制備及使用過程中,甲氨鉛碘層中的甲基銨離子易分解為甲基離子/基團和氨離子/基團,其中氨離子/基團可以擴散進入銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)透明電極層,并影響ITO的電學性質(zhì).本文通過低能氨離子束與ITO薄膜表面相互作用,研究低能氨離子/基團在ITO薄膜表面擴散過程,及其對ITO薄膜電學性質(zhì)的影響規(guī)律.研究結果表明,低能氨離子/基團在ITO薄膜表面擴散過程中,主要與ITO晶格中的O元素結合形成In/Sn—O—N鍵. ITO不同晶面的O元素含量不同,低能氨離子/基團能夠在無擇優(yōu)ITO薄膜表面的各個晶面進行擴散,因此將嚴重影響其電學性質(zhì),導致無擇優(yōu)ITO薄膜電阻率增加約6個數(shù)量級.但(100)擇優(yōu)取向ITO薄膜的主晶面為(100)晶面,最外層由In/Sn元素構成,不含O元素.因此(100)擇優(yōu)取向ITO薄膜能夠有效地抑制低能氨離子/基團擴散,并保持原始電學性質(zhì).最終,(100)擇優(yōu)取向ITO薄膜有望成為理想的有機-無機雜化甲氨鉛碘類鈣鈦礦太陽能電池用透明電極層材料. 

【文章來源】:物理學報. 2020,69(23)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】:10 頁


本文編號:3456733

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