采用熱絲化學(xué)氣相沉積（HWCVD）技術(shù)在低溫條件下（100℃）制備超�。�³0 nm）的硼摻雜硅薄膜。系統(tǒng)研究了氫稀釋比例R_H對(duì)薄膜的微結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響。當(dāng)R_H由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,載流子濃度增加,暗電導(dǎo)率增加;同時(shí),薄膜的缺陷密度增加、霍爾遷移率降低。實(shí)驗(yàn)證實(shí),當(dāng)R_H=55⁷0時(shí),超薄硅薄膜開始晶化,這是薄膜由非晶到納米晶的轉(zhuǎn)化區(qū)�？焖贌嵬嘶鸸に囘M(jìn)一步提高了薄膜導(dǎo)電率。在R_H=115、襯底溫度為100℃沉積條件下,經(jīng)過420℃、80 s退火,獲得電導(dǎo)率為6.88 S/cm的超薄硼摻雜納米晶硅薄膜。 

【文章來源】：人工晶體學(xué)報(bào). 2016,45(08)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)
3 結(jié)果與討論
    3.1 氫稀釋比例RH對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)的影響
    3.2 氫稀釋比例RH對(duì)薄膜電學(xué)性能的影響
    3.3 快速熱退火工藝對(duì)薄膜導(dǎo)電率的影響
4 結(jié)論



本文編號(hào)：3198026