錳基薄膜材料因其具備穩(wěn)定性、巨磁性、電容可逆性等,而被廣泛應(yīng)用于鋰離子電池、超級電容器、磁阻器、微電子等領(lǐng)域。隨著科技不斷的發(fā)展,人們對薄膜材料提出了更加苛刻的要求。在目前報道的薄膜沉積方式中,以化學(xué)氣相沉積技術(shù)（CVD）和原子層沉積（ALD）技術(shù)得到的薄膜性能最佳。由ALD/CVD技術(shù)原理可知,化學(xué)前驅(qū)體是CVD、ALD技術(shù)的基礎(chǔ)。前驅(qū)體結(jié)構(gòu)不同,其化學(xué)反應(yīng)活性及熱性能就會不同,這樣會導(dǎo)致成膜工藝出現(xiàn)很大差異,影響沉積速率,最終也會影響薄膜的性能。此外目前ALD/CVD錳前驅(qū)體還存在一些不足,包括數(shù)量稀少、結(jié)構(gòu)單一、相應(yīng)ALD過程沉積速率較低等。針對以上問題,本文從化學(xué)工作者角度出發(fā),設(shè)計合成出多種新型的Mn（Ⅱ）配合物,并通過沉積實驗評價了所合成出的Mn（Ⅱ）配合物作為ALD/CVD前驅(qū)體的可行性。相應(yīng)研究結(jié)果為人們針對錳前驅(qū)體提供了更多的選擇,而且解決了目前報道的ALD工藝沉積速率較低的問題。具體研究內(nèi)容如下:（1）設(shè)計合成了高反應(yīng)活性的六種含氮乙基脒基Mn（Ⅱ）配合物,并對其進行了熱化學(xué)性質(zhì)的研究。由于引入官能團的不同,使得Mn（Ⅱ）配合物的熱化學(xué)性質(zhì)存在差異,表現(xiàn)出“構(gòu)效”效... 

【文章來源】：江南大學(xué)江蘇省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：103 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

CVD的反應(yīng)過程

圖 1-2 原子層沉積主要步驟Figure 1-2 Key steps of atomic layer deposition 所示：以 AlMe3與 H2O 沉積 Al2O3薄膜為例，詳細介紹 A

CVD（紅色）和 ALD（紅色+藍色）前驅(qū)體所具備5 Summary of the most important characteristics for an and ALD (red+blue) precursor，由于 ALD 和 CVD 在沉積原理上存在差異，，以下先對 CVD 前驅(qū)體該具備的性質(zhì)進行簡發(fā)性，在沉積薄膜過程中，前驅(qū)體可以在相對至基底表面；的沉積溫度，這樣沉積條件相對溫和，大大降降低設(shè)備耗能節(jié)約成本；存在和分解無污染；，合成簡單廉價方便；具備的性質(zhì)：的揮發(fā)性；的熱穩(wěn)定性，在沉積過程中不能發(fā)生熱分解；

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3110049