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二氧化錫基薄膜的制備、表征及電熱性能的研究

發(fā)布時間:2020-12-04 19:05
  功能性透明導電薄膜在日常生活中日趨重要。研究了以二氧化錫為主的電熱薄膜,包括其制備方法和性能表征,設計了四種體系的二氧化錫基薄膜,采用XRD、FT-IR、FE-SEM、HR-TEM、四探針測試儀和熱功率測試儀對樣品的物相、形貌、結構和性能進行表征,并深入探討了材料的電熱性能,具體內容如下:(1)以SnCl4·5H2O和SbCl3為原料,無水乙醇作溶劑,溶膠-凝膠法制備SnO2:Sb(ATO)薄膜的前驅體溶液,再用超聲噴霧熱解法制得薄膜,并用XRD、FE-SEM、四探針測試儀及熱功率測試儀對樣品進行表征。結果表明:超聲噴霧熱解法可制備表面平整的ATO薄膜;Sb元素的摻雜并未改變SnO2的晶體結構,且隨著沉積溫度的增加,薄膜的結晶度提高;當沉積溫度為500℃,n(Sb):n(SnO2)=1.5at%,c(Sn)=0.6mol/L時方塊電阻最小,為105Ω/□,施加220V電壓最高加熱溫度達到213℃。(2)以SnCl4·5H2<... 

【文章來源】:江蘇大學江蘇省

【文章頁數】:81 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

二氧化錫基薄膜的制備、表征及電熱性能的研究


SnO2晶胞結構圖

導電機理,半導體,雜質濃度,負電


二氧化錫基薄膜的制備、表征及電熱性能的研究子形成整點中心;與之對應形成空穴的受主雜質形成負電中心。若半導體存在正電中心和負電中心時,它們之間相互抵消,成為雜質補償作用;另導體的導電類型還與雜質濃度相關,施主雜質濃度大,半導體屬于 n 型導主雜質濃度大,半導體屬于 p 型導電;兩種濃度近似,稱為雜質的高度補想得到 n 型 SnO2半導體,可以通過摻雜 Sb5+或 F-[40]。但這兩種摻雜類型同。例如:

示意圖,超聲噴霧,熱解法,示意圖


二氧化錫基薄膜的制備、表征及電熱性能的研究3.2.2 基底清洗鍍膜使用 140×80×2.5mm 石英玻璃為基底材料,依次放入鹽酸溶液、蒸餾水、氫氧化鈉溶液、蒸餾水浸泡,清洗后放入無水乙醇中用超聲波清洗 10min,取出后放在烘箱中干燥,最后放入等離子清洗機中清洗 30min,減小玻璃的表面張力。3.2.3 電熱薄膜的制備實驗所用的噴霧熱解涂膜機[72]如圖 3.1 所示。

【參考文獻】:
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本文編號:2898093

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