空調(diào)生產(chǎn)過程中靜電檢測和消除系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)
【圖文】:
當靜電電壓達到 8000V 時,模擬的故障現(xiàn)象與總裝下線故障現(xiàn)象一致。說明該異常是由靜電引起。如圖 1.1、圖 1.2。針對分析出來的結(jié)果,對生產(chǎn)過程進行排查,發(fā)現(xiàn)板間連線帶有 5、6 千伏的靜電,在裝配插裝板間連線時,通過針座對主板放電,導致芯片燒毀,功能異常。靜電放電對芯片的損傷,因為電壓高,放電時間短,瞬間電流非常大,檢測其電流波形的上升時間僅 1ns,放電時伴有強電磁輻射,形成靜電電磁脈沖。這電磁脈沖不僅嚴重干擾和損壞電子設(shè)備,同時還存在潛在的危險。所以大部分靜電擊穿后的芯片使用普通的放大鏡是很難看到擊穿點的,如圖 1.3,開封5(開封是使用化學手段將芯片的封裝用的環(huán)氧樹脂去掉的一種方法)檢查,靜電擊穿后的集成電路,在晶元表面看不到擊穿損傷點。也有一部部分芯片,被靜電擊穿后,性能并沒有完全失效,在 ICT6(In-Circuit Test,又稱在線測試儀)測試環(huán)節(jié),無法測試出特性異常,且半導體有自恢復能力,靜電擊穿后,靜置一段時間,性能得以恢復,再測試更是無法識別出是否有過擊穿。有些靜電損傷圖 1.2 模擬靜電擊穿特性圖
電電壓達到 8000V 時,模擬的故障現(xiàn)象與總裝下線故障現(xiàn)象一致。說是由靜電引起。如圖 1.1、圖 1.2。針對分析出來的結(jié)果,,對生產(chǎn)過,發(fā)現(xiàn)板間連線帶有 5、6 千伏的靜電,在裝配插裝板間連線時,通板放電,導致芯片燒毀,功能異常。靜電放電對芯片的損傷,因為電壓高,放電時間短,瞬間電流非常電流波形的上升時間僅 1ns,放電時伴有強電磁輻射,形成靜電電磁磁脈沖不僅嚴重干擾和損壞電子設(shè)備,同時還存在潛在的危險。所電擊穿后的芯片使用普通的放大鏡是很難看到擊穿點的,如圖 1.3,開圖 1.2 模擬靜電擊穿特性圖圖 1.1 故障品特性圖
【學位授予單位】:鄭州大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:TB657.2
【相似文獻】
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