本文選題：超聲納米焊接 + 碳納米管��； 參考：《上海海洋大學(xué)》2014年碩士論文

【摘要】：碳納米管由于其優(yōu)異的電子特性、高的長(zhǎng)徑比、良好的化學(xué)穩(wěn)定性以及極小的尖端曲率半徑使其成為納電子器件中作為納米連接的最佳候選人，在納電子器件方面有重要的應(yīng)用價(jià)值。碳納米管與金屬之間的電接觸是制備碳納米管器件的關(guān)鍵問(wèn)題之一，已有的電子束焊接及高溫退火等方法，雖然可以在一定程度上降低碳納米管與金屬的接觸電阻，但存在操作復(fù)雜、效率低等缺點(diǎn)。本論文對(duì)大面積、規(guī)�；囊痪S碳納米管材料與金屬鋁的超聲納米焊接技術(shù)進(jìn)行了研究。 焊接實(shí)驗(yàn)前提是碳納米管在鋁基底上均勻沉積薄膜。首先對(duì)碳納米管進(jìn)行提純，通過(guò)氧氣氧化、分散劑分散、酸化處理等工藝，有效的去除了催化劑、無(wú)定型等碳顆粒，得到了90%純度的碳納米管。再將通過(guò)電泳沉積的方法制備在鋁基底上均勻沉積一層致密的碳納米管薄膜，，并對(duì)不同電泳電壓、電泳時(shí)間以及硝酸鎂添加量下碳納米管薄膜的形貌進(jìn)行了分析和討論。得到了最佳電泳沉積參數(shù)。超聲波焊實(shí)驗(yàn)中，對(duì)焊接參數(shù)（超聲功率、焊接壓力和時(shí)間）進(jìn)行了分析和討論。確定了最佳的焊接條件范圍，提高了碳納米管與基底的連接強(qiáng)度，改善了接觸性能。 超聲納米焊接技術(shù)在碳納米管場(chǎng)發(fā)射陰極納電子器件方面的應(yīng)用表明，電泳沉積的到的碳納米管薄膜與基底接觸性能不良導(dǎo)致場(chǎng)發(fā)射性能不穩(wěn)定等情況都有有效的改善。超聲波納米焊接改善了碳納米管與金屬基底的接觸性能，使碳納米管能更有效的發(fā)射電子，場(chǎng)發(fā)射陰極的開(kāi)啟電壓大大減小，發(fā)射電流密度增大，電流穩(wěn)定性提高。對(duì)不同焊接條件下的樣品進(jìn)行了場(chǎng)發(fā)射性能測(cè)試，這將為大規(guī)模制備碳納米管場(chǎng)發(fā)射陰極提供了基礎(chǔ)。研究結(jié)果表明超聲納米焊接可以在納米材料與基底之間形成穩(wěn)固的連接，展現(xiàn)了其在微納米連接領(lǐng)域中的巨大的應(yīng)用潛力。
[Abstract]:Because of its excellent electron properties , high aspect ratio , good chemical stability and small tip curvature radius make it the best candidate for nano - connection in nano - electronic device , it has important application value in nano - electronic device . The electrical contact between carbon nanotubes and metal is one of the key problems in the preparation of carbon nano - tube devices .

A thin film of carbon nanotubes ( CNTs ) is deposited on the aluminum substrate on the assumption that the carbon nanotubes are deposited uniformly on the aluminum substrate . The carbon nanotubes with 90 % purity are obtained by the processes of oxygen oxidation , dispersant dispersion , acidification treatment and the like . The best electrophoretic deposition parameters are obtained . In the ultrasonic welding experiments , the welding parameters ( ultrasonic power , welding pressure and time ) are analyzed and discussed . The optimum range of welding conditions is determined , the connection strength of the carbon nanotubes and the substrate is improved , and the contact performance is improved .

The application of the ultrasonic nano - welding technology in the field emission cathode nano - electronic device of the carbon nano - tube shows that the contact performance of the carbon nano - tube film and the substrate caused by the electrophoretic deposition is not stable and the like . The ultrasonic nano - welding improves the contact performance of the carbon nano - tube and the metal substrate , the emission current density is increased , and the current stability is improved .
【學(xué)位授予單位】：上海海洋大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類(lèi)號(hào)】：TB383.1;TB559

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 姜祥祺,加藤隆男;三種含鉭化合物場(chǎng)發(fā)射陰極[J];應(yīng)用科學(xué)學(xué)報(bào);1986年02期

2 張淑芬;場(chǎng)發(fā)射陰極材料[J];云南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);1992年S1期

3 張兆祥,張耿民,侯士敏,劉惟敏,趙興鈺,薛增泉;碳納米管的薄膜場(chǎng)發(fā)射[J];真空科學(xué)與技術(shù);2003年01期

4 崔春娟;張軍;韓民;陳軍;許寧生;劉林;傅恒志;;Si-TaSi_2共晶自生復(fù)合場(chǎng)發(fā)射材料的組織與性能[J];科學(xué)通報(bào);2006年24期

5 王小菊;林祖?zhèn)?祁康成;陳澤祥;汪志剛;蔣亞?wèn)|;;電化學(xué)刻蝕法制備LaB_6場(chǎng)發(fā)射微尖錐陣列[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2007年03期

6 陳錦;郭太良;;電泳法制備四針狀納米ZnO場(chǎng)發(fā)射陰極[J];液晶與顯示;2007年04期

7 王莉莉;陳奕衛(wèi);陳婷;孫卓;馮濤;張燕萍;高陽(yáng);闕文修;;電泳法制備場(chǎng)發(fā)射陰極的性能優(yōu)化研究[J];液晶與顯示;2007年06期

8 高峰;林祖?zhèn)?汪志剛;;多級(jí)場(chǎng)發(fā)射結(jié)構(gòu)模擬及特性研究[J];電子器件;2008年05期

9 李東方;林祖?zhèn)?陳文彬;代令;何世東;曹偉;;復(fù)合型場(chǎng)發(fā)射陣列失效性研究[J];電子器件;2009年01期

10 陳雷鋒;季振國(guó);糜裕宏;毛啟楠;;界面勢(shì)壘對(duì)碳納米管場(chǎng)發(fā)射特性的影響[J];強(qiáng)激光與粒子束;2010年02期

相關(guān)會(huì)議論文 前10條

1 高迎賓;張曉兵;雷威;王保平;;硅錐場(chǎng)發(fā)射陣列中離子轟擊現(xiàn)象的分析[A];第四屆華東真空科技學(xué)術(shù)交流展示會(huì)學(xué)術(shù)論文集[C];2003年

2 丁明清;邵文生;陳長(zhǎng)青;李興輝;白國(guó)棟;張甫權(quán);李含雁;馮進(jìn)軍;;單根碳納米管柵控場(chǎng)發(fā)射陣列陰極的研制[A];第九屆真空技術(shù)應(yīng)用學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2006年

3 謝信能;李佛俊;李文恩;;低壓掃描電鏡的場(chǎng)發(fā)射陰極組件[A];第三次中國(guó)電子顯微學(xué)會(huì)議論文摘要集（二）[C];1983年

4 姜祥祺;加藤隆男;;氮化鉭場(chǎng)發(fā)射陰極的制作及其特性的研究[A];中國(guó)真空學(xué)會(huì)科技進(jìn)步獎(jiǎng)（1994-2000）得獎(jiǎng)人員論文集[C];2000年

5 周雪東;張宇寧;孫瑩;雷威;張曉兵;;最佳碳納米管場(chǎng)發(fā)射陰極陣列密度的研究[A];第四屆華東真空科技學(xué)術(shù)交流展示會(huì)學(xué)術(shù)論文集[C];2003年

6 丁明清;李興輝;白國(guó)棟;張甫權(quán);李含雁;馮進(jìn)軍;;集成柵極控制的碳納米管場(chǎng)發(fā)射陣列陰極的制造技術(shù)[A];第八屆真空技術(shù)應(yīng)用學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2005年

7 鐘定永;劉雙;王恩哥;;大面積定向碳氮納米管場(chǎng)發(fā)射陰極[A];第一屆全國(guó)納米技術(shù)與應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2000年

8 朱長(zhǎng)純;劉衛(wèi)華;;納米場(chǎng)發(fā)射陰極及其在FED中的應(yīng)用[A];中國(guó)真空學(xué)會(huì)2006年學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2006年

9 董長(zhǎng)昆;;應(yīng)用電泳技術(shù)制備場(chǎng)發(fā)射陰極等碳納米管器件[A];中國(guó)真空學(xué)會(huì)2012學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集[C];2012年

10 馮進(jìn)軍;李興輝;;微波真空器件中的微電子技術(shù)[A];中國(guó)真空學(xué)會(huì)2012學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集[C];2012年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前6條

1 王增美;薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極[D];清華大學(xué);2007年

2 姜衛(wèi)粉;一種碳納米管/硅巢狀陣列的制備與場(chǎng)發(fā)射、濕敏性能研究[D];鄭州大學(xué);2007年

3 翟春雪;納米金剛石涂層場(chǎng)發(fā)射陰極結(jié)構(gòu)與性能研究[D];西北大學(xué);2008年

4 魯占靈;納米非晶碳膜制備及其場(chǎng)致電子發(fā)射性能研究[D];鄭州大學(xué);2006年

5 楊靜;碳納米管電極的制備及應(yīng)用研究[D];華東師范大學(xué);2009年

6 溫慶波;硼摻雜碳納米管的第一原理研究[D];吉林大學(xué);2008年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 汪志剛;場(chǎng)發(fā)射陣列薄膜設(shè)計(jì)及技術(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2008年

2 李東方;復(fù)合型尖錐場(chǎng)發(fā)射陣列制備工藝研究[D];電子科技大學(xué);2009年

3 于海波;場(chǎng)發(fā)射冷陰極尖錐制備及其性能研究[D];電子科技大學(xué);2006年

4 王小菊;場(chǎng)發(fā)射陰極的計(jì)算機(jī)模擬[D];電子科技大學(xué);2006年

5 時(shí)晴暄;場(chǎng)發(fā)射陣列薄膜技術(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2007年

6 翟春雪;鈦基鈉米金剛石涂層場(chǎng)發(fā)射陰極工藝研究[D];西北大學(xué);2003年

7 段志強(qiáng);納米體系中場(chǎng)發(fā)射的結(jié)構(gòu)效應(yīng)[D];北京工業(yè)大學(xué);2007年

8 孫亞飛;場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡陰極制備工藝研究[D];上海師范大學(xué);2013年

9 袁光軍;表面?zhèn)鲗?dǎo)場(chǎng)發(fā)射陰極的模擬[D];中國(guó)海洋大學(xué);2013年

10 李新義;鉬硅化物的場(chǎng)發(fā)射研究[D];電子科技大學(xué);2008年

本文編號(hào)：1944911